采用单步光刻和湿法腐蚀工艺制作高性能衍射微透镜

采用单步光刻和湿法腐蚀工艺,低成本快速制作面向高性能蓝光和红光DVD光学头物镜的衍射微透镜.所制微光学结构的表面粗糙度在纳米量级,衍射相位台阶的高度在亚微米量级并可以根据需求灵活调整,通光孔径在毫米至厘米量级的范围内可调.组成衍射微透镜的大量基本相位结构,可以根据入射和出射光束的形貌特征及参数指标,通过衍射积分算法灵活设置和排布.远场光学测试显示了所制衍射微透镜的高衍射效能.

等离子体腐蚀铬掩模

一、前言制作LSI和VLSI集成电路的铬掩模,图形线条细密至几个微米乃至亚微米。要求制造的尺寸精度小于设计尺寸的十分之一。由于湿法腐蚀侧向钻蚀严重,要做到成功的细线条腐蚀是相当困难的。等离子体腐蚀则侧向钻蚀小,可获得比较精细的线条,而且工艺和设备都比较简单,适于较大面积的腐蚀。本文报导采用等离子体腐蚀制作0.

高压GaAs微型太阳电池阵列的制备

为了提高GaAs微型太阳电池的输出性能,对微型太阳电池阵列的主要工艺进行了研究和改进。通过对帽层、背电极层和台面的选择性/非选择性湿法腐蚀工艺的探索,实现了对最佳腐蚀液的配比、腐蚀时间和温度的控制。采用侧壁钝化工艺和聚酰亚氨(PI)/SiO2/TiAu/SiO2新型互连结构,不仅确保了电池单元之间有效的隔离和互连,而且极大地降低了侧壁载流子复合电流,同时这种新型互连结构可有效防止由于衬底光敏现象引起的漏电流。经过上述器件工艺改进,获得了高集成度GaAs微型太阳电池阵列。电流-电压(JSC-VOC)测试结果显示,器件的开路电压达到84.2V,填充因子为57%。