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穿透硅通孔互连结构的湿-热应力有限元分析
被引量:
4
1
作者
俞箭飞
江五贵
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第11期889-893,共5页
对穿透硅通孔(TSV)互连结构的湿-热应力问题进行了有限元分析。首先模拟了在二氧化硅和氢基半硅氧烷(HSQ)低k材料TSV互连结构在回流焊过程中,因热膨胀系数不匹配而引入的热应力,然后预测了HSQ基TSV互连结构在潮湿环境下因湿膨胀系数不...
对穿透硅通孔(TSV)互连结构的湿-热应力问题进行了有限元分析。首先模拟了在二氧化硅和氢基半硅氧烷(HSQ)低k材料TSV互连结构在回流焊过程中,因热膨胀系数不匹配而引入的热应力,然后预测了HSQ基TSV互连结构在潮湿环境下因湿膨胀系数不同引起的湿应力,以及湿-热环境下的湿-热应力分布。结果表明:湿气会提高TSV结构界面处的等效应力,但湿气对铜线中的应力影响较小。湿-热应力集中主要出现在HSQ材料和与之相邻的硅上。与SiO2基TSV结构相比,HSQ基TSV结构中铜线上的应力集中得到改善,但HSQ和硅界面上的应力集中有所增加。
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关键词
TSV结构
低K材料
湿-热应力
有限元
铜互连
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职称材料
题名
穿透硅通孔互连结构的湿-热应力有限元分析
被引量:
4
1
作者
俞箭飞
江五贵
机构
南昌航空大学航空制造工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第11期889-893,共5页
基金
国家自然科学基金项目(10902048
11162014)
文摘
对穿透硅通孔(TSV)互连结构的湿-热应力问题进行了有限元分析。首先模拟了在二氧化硅和氢基半硅氧烷(HSQ)低k材料TSV互连结构在回流焊过程中,因热膨胀系数不匹配而引入的热应力,然后预测了HSQ基TSV互连结构在潮湿环境下因湿膨胀系数不同引起的湿应力,以及湿-热环境下的湿-热应力分布。结果表明:湿气会提高TSV结构界面处的等效应力,但湿气对铜线中的应力影响较小。湿-热应力集中主要出现在HSQ材料和与之相邻的硅上。与SiO2基TSV结构相比,HSQ基TSV结构中铜线上的应力集中得到改善,但HSQ和硅界面上的应力集中有所增加。
关键词
TSV结构
低K材料
湿-热应力
有限元
铜互连
Keywords
TSV structure
low
-
k material
thermal
-
hygroscopic stress
finite element
copper interconnect
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
TN306 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
穿透硅通孔互连结构的湿-热应力有限元分析
俞箭飞
江五贵
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
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职称材料
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