低温气相硅外延前氩微波等离子原位溅射清洗对薄膜界面的损伤

本文研究了在超高真空低温CVD（chemicalvapordeposition）硅外延中，ECR（electroncyclotronresonance）微波等离子原位溅射清洗对外延层界面损伤的情况。超高分辨透射电镜（TEM）照片表明，界面引起的损伤是较严重的，损伤层的宽度与衬底偏压的高低和溅射时间的长短直接相关。

霍尔源溅射清洗工艺对离子镀TiN涂层结合性能的影响

为了研究溅射清洗工艺对基片表面特性的影响机理和规律,采用霍尔离子源产生氩离子束对基片进行溅射清洗,通过调整真空度来改变离子束的放电电压,以此对比不同放电电压下离子束清洗后基片的表面特性及制备涂层的膜基结合强度。实验结果表明,随着镀膜室内真空度的提高,离子束的放电电压逐渐升高、基片接触角值逐渐减小、基片表面粗糙度先减小后增加。制备涂层的膜基结合强度随离子束放电电压的升高呈现逐渐增加的趋势,最高可达60N。采用高能氩离子束溅射清洗后能够获得润湿性、延展性和清洁度都较为理想的基片表面,能有效提高涂层的结合性能。

CLDA—700磁控溅射离子镀设备

编号:C95—2—8DLDA—700磁控溅射离子镀设备中引进电子发射源和活化源,显著提高离化率,技术及设备为国内首创。具有离化率高,基片离化电流增加4—5倍;膜基之间具有很强结合力,划痕试验临界载荷(Lo)

多弧离子镀中磁场对电弧运动影响的研究

多弧离子镀技术中的关键部件是蒸发源,蒸发源的电弧放电特性受磁场的严格控制。本文对真空电弧等离子体在磁场中的受力进行了分析,研究了磁场对电弧运动的影响规律。

强光光学元件加工技术发展

面向强光光学元件的低损伤制造,概述了关联激光损伤性能的损伤前驱体检测表征方法,提出纳米尺度污染与化学结构缺陷等损伤前驱体是低损伤加工过程需要关注的焦点;结合光学元件加工方法的发展进程,探讨了基于化学辅助磁流变抛光和离子束溅射清洗技术的纳米损伤前驱体的抑制方法,以有效减少纳米级污染和化学结构缺陷;提出强光光学元件制造面临的三个挑战,为实现强光光学元件清洁制造提供参考。

Ⅲ—V族化合物半导体欧姆接触研究的进展

本文介绍一种解释欧姆接触的比接触电阻ρ_c的新模型。并从理论上分析了利用RF溅射清洗半导体表面可使ρ_c降低的机理。