溅射电压和铝掺杂对透明导电氧化锌薄膜性能的影响

研究了用微波ECR等离子体反应溅射制备透明导电氧化锌薄膜工艺中靶压及铝的掺入对薄膜电阻率和透光率的影响 ,制得电阻率为 1 0 -5Ω·m数量级 ,可见光平均透光率大于 80 %的透明导电ZnO∶Al (AZO)膜。

电压对中频脉冲非平衡磁控溅射类金刚石薄膜结构与性能的影响

制备参数对类金刚石(DLC)薄膜的性能和结构有显著影响。利用中频脉冲非平衡磁控溅射新技术制备了DLC薄膜,采用Raman光谱、X射线光电子能谱仪、纳米压痕仪、光谱型椭偏仪研究了溅射电压对DLC薄膜微观结构、力学性能和光学性能的影响。结果表明:当溅射电压由550 V增加到750 V时,DLC薄膜中sp3杂化碳含量随溅射电压的增加而增加,当溅射电压超过750 V时,薄膜中sp3杂化碳含量随溅射电压的增加而减少;DLC薄膜的纳米硬度、折射率均随溅射电压的增加先增加而后减小,溅射电压为750 V时制备薄膜的纳米硬度及折射率最大。

活化溅射法在NiTi合金上制备TiO_2生物薄膜

采用活化溅射方法,在不同溅射电压条件下,在NiTi形状记忆合金表面成功制备出了纳米TiO2生物薄膜.采用台阶轮廓仪和拉曼光谱仪研究溅射电压对薄膜厚度和晶体结构的影响,并对NiTi合金覆膜前后在37℃模拟人体体液中的耐腐蚀性能进行了评价.结果表明,在本实验条件下薄膜为锐钛矿结构,薄膜表面均匀,其主要成分为纳米尺寸的TiO2;TiO2薄膜明显改善了NiTi合金在37℃模拟人体体液中的耐腐蚀性能.

氧化钒薄膜的制备技术及特性研究

采用直流反应磁控溅射法,通过精确控制反应溅射电压优化了氧化钒薄膜的制备工艺。对制备的氧化钒薄膜,利用四探针测试仪检测了薄膜的方阻和方阻温度系数,用X射线光电子能谱(XPS)仪和原子力显微镜(AFM)对薄膜的钒氧原子比和薄膜的微观形貌分别进行了分析和表征。实验结果表明,利用精确控制反应溅射电压法生长出的氧化钒薄膜的性能得到了进一步的提高。

Co-Ta-O颗粒膜的磁电阻效应研究

利用射频共溅射方法制备了一系列 Co- Ta- O介质颗粒膜 ,用 X射线能量色散谱和 X射线光电子谱分析了薄膜的成分和元素价态 ,用 X射线衍射测量了薄膜的晶体结构 .结果表明 ,Co- Ta-O颗粒膜系是由 Co颗粒镶嵌在非晶的氧化钽绝缘介质中而形成 .通过改变制备条件 ,研究了溅射电压和 Co成分对颗粒膜隧道磁电阻效应的影响 .发现磁电阻比值先随 Co成分的增加而增加 ,在Co原子个数比为 2 6 %时达最大值 ,后随 Co成分的进一步增加而减小 ;在 Co成分一定的情况下 ,低的溅射电压有利于获得大的隧道磁电阻比值 .