期刊文献+
共找到9篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
高温溅射离子源及其在LC—3型高能离子注入机上的使用
1
作者 李菊生 李仪 《微细加工技术》 1991年第3期5-8,4,共5页
高温溅射离子源已用于LC—3型离子注入机,可以成功地进行全元素注入。 本文描述了该离子源的结构和使用状况,根据我们的实践,改进了源的热炉。束流到达靶上的强度从零点几微安到几个微安。
关键词 离子注入机 溅射离子源 热炉蒸发器
下载PDF
多靶强流铯溅射离子源的研制 被引量:3
2
作者 郭巍 李康宁 +7 位作者 游曲波 彭立波 许波涛 何明 胡跃明 包轶文 胡畔 邵斌 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2022年第3期311-316,共6页
多靶强流铯溅射离子源是多种加速器中常用的离子源之一,在科学研究和工业生产领域的应用十分广泛。但是,目前商业化应用的该种离子源由欧美几个国家垄断,国内还没有厂家能够生产。为了提高加速器运行和建造中的自主化水平,研制了一种多... 多靶强流铯溅射离子源是多种加速器中常用的离子源之一,在科学研究和工业生产领域的应用十分广泛。但是,目前商业化应用的该种离子源由欧美几个国家垄断,国内还没有厂家能够生产。为了提高加速器运行和建造中的自主化水平,研制了一种多靶强流铯溅射离子源。该离子源主要由离子源腔、换靶装置、冷却系统、控制箱等组成,根据功能需求对其关键部件进行结构设计,采用了全新的伺服电机驱动换靶方式,提供靶位微调功能和远程控制模式,并使用Opera-3D软件模拟优化结构参数和束流光路。经过测试,该离子源在中国原子能科学研究院的400 kV小型加速器质谱(AMS)装置上应用情况良好,换靶定位精准,供束稳定,束流参数达到进口离子源的参数指标,实现了预期目标。 展开更多
关键词 多靶位 溅射离子源 结构设计 模拟分析
原文传递
860A溅射负离子源电离器及电源的改进 被引量:2
3
作者 安坤 王广甫 +1 位作者 于令达 吴冰冰 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1123-1126,共4页
本文采用直径为2.5mm的不锈钢铠装热丝研制了透射型表面电离器,并对离子源电源进行了改进。用连续可调直流开关电源代替原装交流电源作为电离器电源,用置于地电位的0^-20kV电源代替原悬浮于-20kV引出电压上的10kV浸没透镜电源。给出了... 本文采用直径为2.5mm的不锈钢铠装热丝研制了透射型表面电离器,并对离子源电源进行了改进。用连续可调直流开关电源代替原装交流电源作为电离器电源,用置于地电位的0^-20kV电源代替原悬浮于-20kV引出电压上的10kV浸没透镜电源。给出了改进后GIC4117 2×1.7MV串列加速器前法拉第杯H-流强随电离器加热电流的变化曲线。 展开更多
关键词 溅射离子源 电离器电源 开关电源 H^ -流强
下载PDF
束流对氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si:H薄膜结构特性的影响 被引量:1
4
作者 黄俊俊 王辉 +5 位作者 丁明 周守发 李梦雨 刘琦 高敏 王维燕 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期654-658,共5页
利用氢离子源辅助磁控溅射制备氢化非晶硅薄膜(a-Si:H),借助拉曼光谱仪、红外光谱仪和椭圆偏振光谱仪等分析测试手段,研究氢离子源束流对a-Si:H薄膜结构特性影响规律。结果表明采用氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si:H薄膜,有利于改善a-Si:... 利用氢离子源辅助磁控溅射制备氢化非晶硅薄膜(a-Si:H),借助拉曼光谱仪、红外光谱仪和椭圆偏振光谱仪等分析测试手段,研究氢离子源束流对a-Si:H薄膜结构特性影响规律。结果表明采用氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si:H薄膜,有利于改善a-Si:H薄膜结构特性;当离子源束流为5 mA时,薄膜的结构特性最优,a-Si:H薄膜在0.8 eV处的吸收系数、氢含量、微结构因子和光学带隙分别是0.7 cm^(-1)、10.2%(原子比)、0.47和2.02 eV。表明采用氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si:H薄膜满足器件要求。 展开更多
关键词 离子源辅助溅射 非晶硅薄膜 结构性能 束流
下载PDF
离子注入聚醚砜薄膜的导电特性研究 被引量:1
5
作者 岳喜成 《南阳师范学院学报》 CAS 2003年第9期37-40,45,共5页
用15keV的N+和Ar+注入PES,纯PES膜表面电导率提高了5个数量级,掺碘PES膜表面电导率提高4个数量级。表面电导率随剂量的变化关系具有饱和性。掺碘使未注入的PES膜表面电导率提高近一个数量级,掺碘对提高注入离子的PES膜的表面电导率作用... 用15keV的N+和Ar+注入PES,纯PES膜表面电导率提高了5个数量级,掺碘PES膜表面电导率提高4个数量级。表面电导率随剂量的变化关系具有饱和性。掺碘使未注入的PES膜表面电导率提高近一个数量级,掺碘对提高注入离子的PES膜的表面电导率作用不大。在低剂量时,注Ar+样品的表面电导率大于注N+样品的表面电导率。在最高剂量时,表面电导率和注入离子的种类无关。离子注入PES膜的表面电导率在空气中非常稳定。在0~30V范围内,离子注入PES膜的表面电导率随电压的增加而缓慢增加。 展开更多
关键词 离子注入聚醚砜薄膜 PES膜 表面电导率 饱和性 溅射离子源 电源 真空 电压
下载PDF
磁控溅射MoS_2-Ni复合膜的结构与性能研究 被引量:5
6
作者 韦春贝 欧文敏 +3 位作者 侯惠君 林松盛 代明江 石倩 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期135-142,共8页
目的提高MoS_2薄膜在大气环境下的摩擦学性能。方法采用离子源复合磁控溅射技术制备了Mo S2-Ni复合膜,通过改变Ni靶功率获得不同Ni掺杂量的复合膜,研究不同Ni掺杂量对复合膜结构及摩擦学性能的影响。采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD... 目的提高MoS_2薄膜在大气环境下的摩擦学性能。方法采用离子源复合磁控溅射技术制备了Mo S2-Ni复合膜,通过改变Ni靶功率获得不同Ni掺杂量的复合膜,研究不同Ni掺杂量对复合膜结构及摩擦学性能的影响。采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、显微硬度计、洛氏硬度计、球-盘式摩擦磨损试验机以及3D轮廓仪,对复合膜显微结构和性能进行研究。结果复合膜以柱状晶结构生长,增加Ni含量可以细化晶粒,使复合膜的结构更加致密。复合膜硬度在250~446HV之间,且随Ni含量的增加,复合膜的硬度提高。复合膜具有良好的膜/基结合力,结合力达到HF1级。MoS_2-Ni复合膜的摩擦系数在0.10~0.23之间,随Ni含量的增加,虽然复合膜的摩擦系数增加,但由于磨损过程形成稳定的转移膜粘着在对磨球表面,因而使得磨损率降低,耐磨寿命提高。结论 Ni掺杂可以提高复合膜的致密度、硬度以及结合力,增强复合膜的耐磨性能。 展开更多
关键词 离子源复合磁控溅射 Ni掺杂 复合膜 硬度 结合力 摩擦磨损
下载PDF
靶电流对掺钨类金刚石膜的结构与摩擦学行为的影响 被引量:1
7
作者 付志强 王成彪 +6 位作者 杜秀军 王伟 邬苏东 于翔 彭志坚 林松盛 代明江 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第S1期250-253,257,共5页
利用真空阴极电弧+磁控溅射+阳极层条形离子源制备了带梯度过渡层的掺钨类金刚石(DLC)膜,并研究了靶电流对掺钨DLC膜结构和性能的影响,结果表明:制备的掺钨DLC膜光滑致密,表面存在1~2μm的液滴。靶电流不大于3.5A时,随着靶电流的增加,掺... 利用真空阴极电弧+磁控溅射+阳极层条形离子源制备了带梯度过渡层的掺钨类金刚石(DLC)膜,并研究了靶电流对掺钨DLC膜结构和性能的影响,结果表明:制备的掺钨DLC膜光滑致密,表面存在1~2μm的液滴。靶电流不大于3.5A时,随着靶电流的增加,掺钨DLC膜的钨含量逐渐增加,但sp3的含量基本不变;靶电流为5A时,制备的薄膜成分接近WC的理想化学计量比,薄膜中的sp3含量增加到48%。当靶电流不大于2A时,靶电流对掺钨DLC膜的显微硬度和摩擦系数影响较小;在高的靶电流条件下,掺钨DLC膜的显微硬度和摩擦系数随着靶电流的增加而明显增大。 展开更多
关键词 掺钨类金刚石 靶电流 结构 力学性能 磁控溅射+阳极层条形离子源
下载PDF
CrN films deposited by ion source-assisted magnetron sputtering 被引量:1
8
作者 LIU Chuansheng TIAN Canxin +5 位作者 LI Ming HE Jun YANG HuiJuan YANG Bing WANG Hong Jun FU Dejun 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2010年第5期289-293,共5页
CrN coatings were deposited on Si(100) and piston rings by ion source assisted 40 kHz magnetron sputtering.Structure and composition of the coatings were characterized by X-ray diffraction,atomic force microscopy,scan... CrN coatings were deposited on Si(100) and piston rings by ion source assisted 40 kHz magnetron sputtering.Structure and composition of the coatings were characterized by X-ray diffraction,atomic force microscopy,scanning electron microscopy and transmission electron microscopy.Mechanical and tribological properties were assessed by microhardness and pin-on-disc testing.The ion source-assisted system has a deposition rate of 3.88 μm/h,against 2.2 μm/h without ion-source assistance.The CrN coatings prepared with ion source assistance exhibited an increase in microhardness(up to 16.3 GPa) and decrease in friction coefficient(down to 0.48) at the optimized cathode source-to-substrate distance.Under optimized conditions,CrN coatings were deposited on piston rings,with a thickness of 25 μm and hardness of 17.85 GPa. 展开更多
关键词 溅射离子源 磁控溅射 氮化铬 铬薄膜 SI(100) 透射电子显微镜 扫描电子显微镜 原子力显微镜
下载PDF
Study of Plasma and Ion Beam Sputtering Processes
9
作者 M.M.Abdelrahman 《Journal of Physical Science and Application》 2015年第2期128-142,共15页
The effects of plasma (ions, electrons) and other energetic particles are now widely used for substrate cleaning as well as to assist and control thin film growth and various applications. In this work, historical r... The effects of plasma (ions, electrons) and other energetic particles are now widely used for substrate cleaning as well as to assist and control thin film growth and various applications. In this work, historical review of the plasma and its various types are given and described. Different types of gas discharge and plasma production are also discussed in detail. Furthermore, technique of ion beam extraction from a plasma source for sputtering process by using a suitable electrode is carefully studied and given. In further consequence, a general review about the physics and mechanism of sputtering processes is studied. Different types of sputtering techniques are investigated and clarified. Theoretical treatment for determination of sputtering yield for low and high atomic species elements as a function of energy from 100 to 5,000 eV are studied and discussed. Finally, various applications of plasma-and-ion beam sputtering will also be mentioned and discussed. 展开更多
关键词 PLASMA ion sputtering gas mixing electron injection.
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部