微波ECR等离子体高速溅射装置的研制

研制了一台高速率溅射的ＥＣＲ等离子体沉积装置．采用微波真空波导及反常模式或输入技术，利用腔内双靶构成的电场镜，使高能γ电子在电场镜中振荡，从而获得高密度的等离子体．并且，导电膜能连续高速沉积，在２．７×１０－２Ｐａ的低气压下，铜膜的沉积速率可达１２０ｎｍ／ｍｉｎ．

将平面用溅射装置改造为微粒用溅射装置

采用在真空室内加旋转筒的方法,将某平面用溅射装置改造为微粒用溅射装置。运行结果表明,利用筒体旋转的方法,可以在粒度100μm左右的微粒表面包覆均匀完整的铬膜层,微粒形状对表面涂层的均匀、完整、涂层速度等有重要影响,微粒被筒体带动的力主要为二者间的分子间作用力,离心力起的作用很小。若将用于平面镀涂的溅射装置改造为处理微粒,需对溅射装置中的溅射靶和真空系统进行较大的改造。

溅射装置及其驱动方法以及使用该装置制造基板的方法

一种溅射装置包括基座以及多个靶器件。基板紧固地固定在基座上。靶器件是可旋转的并且设置为与基板的中心区域和基板中与中心区域相邻的外围区域相对。因为靶器件的数目少，可以减少溅射装置的相应的成本和尺寸。此外，因为靶器件旋转，可以形成更均匀的层并因而可以提高可靠性。

薄膜的制造方法及溅射装置

本发明提供简单易行的制造膜厚倾斜程度大的薄膜的薄膜制造方法及溅射装置。该方法通过使真空室内的成膜工序区和反应工序区在空间上相互分离并通过溅射形成薄膜。在中间薄膜形成工序形成由不完全反应物形成的中间薄膜。该中间薄膜形成工序中，在基板S和靶之间设有使形成的薄膜膜厚均匀的修正板和使形成的薄膜具备对应基板S形成薄膜的面的所需膜厚分布的屏蔽板，在基板S相对修正板和屏蔽板移动的同时形成中间薄膜。在形成最终薄膜的膜组成转化工序中，在反应工序区使中间薄膜和反应性气体的活性基反应，使最终薄膜的膜厚与中间薄膜的膜厚相比有所增加。

溅射装置

本发明提供了即使利用溅射法在多个连续基板上形成电解质膜也能使成膜速度和Sr／Ti组成比一定的技术。本发明的溅射装置在真空槽内底上设计有位于载置台周围的对置电极。在对置电极的表面上形成有多个孔，从而使表面积变大。并且，溅射的电解质材料附着在对置电极表面上，即使其表面上使电解质膜分布正电荷，对置电极表面上分布的电荷密度也比现有技术中的小，

AFTEX—3000F型ECR溅射装置

电子回旋共振(ECR)等离子体法广泛用于SiO_2、Si_3N_4膜等的低温CVD技术,以及MOS器件的微细栅极刻蚀技术。在ECR等离子体法中,由于低气压下生成高离子化的等离子体,故以低能量、大的离子电流照射而能持续进行表面反应,然而以往的技术无法实现高质量的薄膜工艺。由于用固体靶溅射,靶材供给容易,进而把上述技术作为基础,开发了ECR溅射技术。

薄膜沉积速度可调的溅射装置

日本山口大学的储桥信一教授研制成功一种可任意调整沉积膜沉积速度的溅射（成膜）装置。在薄膜之类柔软的基板上沉积涂层时为了防止损伤有必要使用两种溅射装置。而新开发的溅射装置只用一台即可快速成膜。新装置通过改变其核心部件“阴极”的磁通分布，

聚变堆第一壁材料溅射装置真空系统设计研究

直线等离子体装置(Linear Plasma Device,LPD)是研究托卡马克上边界等离子体与材料相互作用的重要平台。本文针对新建LPD的真空系统设计研制开展了相关研究。该真空系统设计为两级隔断式结构,等离子体放电和材料预处理可以在各自真空腔室同步进行、互不干扰。通过真空测试实验,真空控制系统运行稳定,短时间烘烤后系统极限真空达1.4×10^(-5)Pa,满足LPD对洁净真空环境的要求。

复合电磁磁控溅射靶

复合电磁靶是由两个电磁铁分别产生两个圆环状跑道磁场的新型磁控靶。两个跑道磁场的水平磁场均可连续调节，对应两个跑道磁场分别安装Ａ和Ｂ两种纯金属靶材，即可镀制合金膜。调节两个跑道磁场的场强对比，即可实现膜层的成分调节。复合电磁靶可以溅射７ｍｍ厚的铁靶。复合电磁靶的应用实例是镀制二元合金系统的变成分合金膜。

第十九讲 真空溅射镀膜

（接2018年第1期第72页）b.带有中空阴极的平面磁控溅射系统图104给出了一个在传统的平面磁控溅射系统中附加了中空阴极电子枪的溅射装置,这是一个三极装置,其中阴极为磁性阴极,中空阴极电子源作为一个二极阴极。电子源靠近磁阴极,以使它位于阴极的边缘,但仍基本处于磁场中。中空阴极在磁场中的位置是至关重要的。从中空阴极中发射出来的电子产生额外的气体离化,

Ni81Fe19层厚对Ni81Fe19／Fe50Co50磁性和微结构影响

美国谢菲尔德大学材料与工程系S．Kotapati等人采用Nordi射频磁控管溅射装置，以Ni81Fe19合金庐150mm为靶材，在硅基底上沉积15～90nm薄膜，再在上面沉积15nmFe50Co50，研究Ni81Fe19层厚度对Ni81Fe19／Fe50Co50双层磁性和微结构的影响。