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题名阻焊后Bussless工艺溅射铜残留的改善研究
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作者
杨海龙
廖浩
任小柯
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机构
广州广芯封装基板有限公司
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出处
《印制电路信息》
2024年第S02期220-226,共7页
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文摘
文章研究了阻焊后Busssless工艺类型的封装基板产品,在溅射镀膜时表面温度对溅射铜扩散至镀金层形成金铜合金导致溅射铜残留缺陷的影响,通过设计不同厚度基板在对应溅射功率条件下的基板表面温度工艺试验,分析溅射铜残留情况。结果表明,当板厚<0.25 mm时,使用12 kW溅射功率,板面温度范围为188℃~216℃,金面会产生溅射铜残留;使用10 kW溅射功率,板面温度范围为154~166℃,金面无溅射铜残留;当板厚≥0.25 mm时,无论是使用12kW还是10 kW溅射功率,金面均无溅射铜残留。
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关键词
溅射镀膜
阻焊后Bussless
溅射铜残留
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Keywords
Sputter Coating
Bussless After Solder Resistance
Sputtered Copper Residue
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分类号
TN41
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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