溅射功率及压强对磁控溅射Mo薄膜电学性能和表面形貌的影响

采用直流磁控溅射的方法在普通玻璃衬底上沉积Mo薄膜,研究了工作压强、溅射功率对Mo薄膜的电学性能、表面形貌的影响.实验表明,在我们所使用的压强范围内(0.2~2.0 Pa),溅射压强低时,沉积速率较快,制备出的薄膜导电性能亦较好;0.4 Pa时达到最佳值,电阻率为1.22×10-4Ω.cm,且扫描电镜(SEM)图显示薄膜具有致密、平整的表面形貌;在压强固定时(0.2 Pa),沉积速率随溅射功率(50~150 W)基本呈线性增加,且随溅射功率的增加,制备的Mo薄膜更加致密,显示出连续降低的电阻率;148 W时,电阻率为7.6×10-5Ω.cm.