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离子辅助沉积掺铝氧化锌透明导电膜的研究
被引量:
8
1
作者
初国强
王子君
+1 位作者
刘星元
王立军
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2001年第2期135-139,共5页
报道了采用离子辅助电子枪蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果 ,分析了源掺杂 ,镀膜气氛 ,衬底温度等参数与膜的电导率及透光特性的关系 ,作出了电阻率低达 2× 1 0 - 3Ω· cm,厚为 40 0 nm的膜的方块电阻为 1×...
报道了采用离子辅助电子枪蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果 ,分析了源掺杂 ,镀膜气氛 ,衬底温度等参数与膜的电导率及透光特性的关系 ,作出了电阻率低达 2× 1 0 - 3Ω· cm,厚为 40 0 nm的膜的方块电阻为 1× 1 0 3Ω/□ ,可见光透过率大于 80 %的优质透明导电膜。实验表明氧离子辅助蒸发可增加氧化锌分子的能量 ,提高其迁移率 ,显著提高薄膜的致密程度 ;氧离子能使分解的锌原子充分氧化 ;离子轰击可平滑薄膜表面。总之 。
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关键词
氧化锌透明导电膜
离子辅助蒸发
电子束蒸发
氧化物半导体
电导率
透光特性
源参杂
镀膜气氛
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职称材料
题名
离子辅助沉积掺铝氧化锌透明导电膜的研究
被引量:
8
1
作者
初国强
王子君
刘星元
王立军
机构
中国科学院激发态物理开放研究实验室
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2001年第2期135-139,共5页
基金
中国科学院"九五"重大资助项目
高等学校重点实验室访问学者基金资助项目
文摘
报道了采用离子辅助电子枪蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果 ,分析了源掺杂 ,镀膜气氛 ,衬底温度等参数与膜的电导率及透光特性的关系 ,作出了电阻率低达 2× 1 0 - 3Ω· cm,厚为 40 0 nm的膜的方块电阻为 1× 1 0 3Ω/□ ,可见光透过率大于 80 %的优质透明导电膜。实验表明氧离子辅助蒸发可增加氧化锌分子的能量 ,提高其迁移率 ,显著提高薄膜的致密程度 ;氧离子能使分解的锌原子充分氧化 ;离子轰击可平滑薄膜表面。总之 。
关键词
氧化锌透明导电膜
离子辅助蒸发
电子束蒸发
氧化物半导体
电导率
透光特性
源参杂
镀膜气氛
Keywords
zinc oxide
transparent conductive film
IAD
electron beam evaporation
oxide semiconductor
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
离子辅助沉积掺铝氧化锌透明导电膜的研究
初国强
王子君
刘星元
王立军
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2001
8
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职称材料
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