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用于功率变换的高击穿增强型AlGaN/GaN HEMTs
被引量:
1
1
作者
黄伟
王胜
+1 位作者
张树丹
许居衍
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期463-468,共6页
首次采用CF4等离子体技术实现可用于功率变换的增强性AlGaN/GaN功率器件。实验结果表明,当AlGaN/GaN器件经功率150W和时间150s等离子体轰击后,器件阈值电压从-4V被调制约为0.5V,表现为增强型。当漂移区LGD从5μm增加到15μm,器件的击穿...
首次采用CF4等离子体技术实现可用于功率变换的增强性AlGaN/GaN功率器件。实验结果表明,当AlGaN/GaN器件经功率150W和时间150s等离子体轰击后,器件阈值电压从-4V被调制约为0.5V,表现为增强型。当漂移区LGD从5μm增加到15μm,器件的击穿电压从50V迅速增大到400V,电压增幅达350V。采用长度为3μm源场板结构将器件击穿电压明显地提高,击穿电压增加约为475V,且有着比硅基器件更低的比导通电阻,约为2.9mΩ.cm2。器件模拟结果表明,因源场板在远离栅边缘的漂移区中引入另一个电场强度为1.5MV/cm的电场,从而有效地释放了存在栅边缘的电场,将高达3MV/cm的电场减小至1MV/cm。微波测试结果表明,器件的特征频率fT和最大震荡频率fMAX随Vgs改变,正常工作时两参数均在千兆量级。栅宽为1mm的增强型功率管有较好的交直流和瞬态特性,正向电流约为90mA。故增强型AlGaN/GaN器件适合高压高频大功率变换的应用。
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关键词
铝镓氮/氮化镓异质结
场
效应晶体管
四氟化碳等离子体轰击
增强型
击穿电压
源场板
比导通电阻
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职称材料
题名
用于功率变换的高击穿增强型AlGaN/GaN HEMTs
被引量:
1
1
作者
黄伟
王胜
张树丹
许居衍
机构
中国电子科技集团第
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期463-468,共6页
文摘
首次采用CF4等离子体技术实现可用于功率变换的增强性AlGaN/GaN功率器件。实验结果表明,当AlGaN/GaN器件经功率150W和时间150s等离子体轰击后,器件阈值电压从-4V被调制约为0.5V,表现为增强型。当漂移区LGD从5μm增加到15μm,器件的击穿电压从50V迅速增大到400V,电压增幅达350V。采用长度为3μm源场板结构将器件击穿电压明显地提高,击穿电压增加约为475V,且有着比硅基器件更低的比导通电阻,约为2.9mΩ.cm2。器件模拟结果表明,因源场板在远离栅边缘的漂移区中引入另一个电场强度为1.5MV/cm的电场,从而有效地释放了存在栅边缘的电场,将高达3MV/cm的电场减小至1MV/cm。微波测试结果表明,器件的特征频率fT和最大震荡频率fMAX随Vgs改变,正常工作时两参数均在千兆量级。栅宽为1mm的增强型功率管有较好的交直流和瞬态特性,正向电流约为90mA。故增强型AlGaN/GaN器件适合高压高频大功率变换的应用。
关键词
铝镓氮/氮化镓异质结
场
效应晶体管
四氟化碳等离子体轰击
增强型
击穿电压
源场板
比导通电阻
Keywords
AIGaN/GaN HEMTs
CF4 plasma treatment
enhancement-mode (E-mode)
breakdown voltage
source-terminated field plate
specific on-resistance
分类号
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于功率变换的高击穿增强型AlGaN/GaN HEMTs
黄伟
王胜
张树丹
许居衍
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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职称材料
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