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24Gb/s 0.2μm GaAs PHEMT 2:1复接器 被引量:1
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作者 杨守军 王志功 +3 位作者 朱恩 冯军 熊明珍 夏春晓 《电路与系统学报》 CSCD 2004年第5期8-11,共4页
超高速复接器是光通信传输系统中的关键部件之一和速度瓶颈之一。本文利用 0.2μm GaAs PHEMT(砷化镓伪高电子迁移率晶体管)工艺,设计出了超高速 2:1 复接器。应用一种简单而有效的宽带匹配方法,使得外部信号有效地传输到芯片内部。利... 超高速复接器是光通信传输系统中的关键部件之一和速度瓶颈之一。本文利用 0.2μm GaAs PHEMT(砷化镓伪高电子迁移率晶体管)工艺,设计出了超高速 2:1 复接器。应用一种简单而有效的宽带匹配方法,使得外部信号有效地传输到芯片内部。利用源极耦合电容的微分作用,加速晶体管的开、关转换,提高锁存器和 D 触发器的工作速率。窄传输线当作电感的应用,补偿了电容的影响,同时还减小了芯片面积。设计了一种测试方法,解决了复接器需要多路超高速信号源的问题。芯片通过功能测试验证,数据速率可达到 24Gb/s。 展开更多
关键词 复接器 匹配 耦合电容 传输线 测试
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一种低相位噪声压控振荡器的设计 被引量:1
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作者 许奔 丁庆 +2 位作者 王鑫 冯军正 吴光胜 《通信技术》 2019年第11期2803-2807,共5页
设计了一种低相位噪声的CMOS压控振荡器,采用互补差分对结构、开关偏置电流源和源极电容耦合技术,有效降低了压控振荡器的相位噪声。芯片采用标准0.18 um 1P6M RF CMOS工艺实现,电源电压为1.8 V。测得的输出频率范围是2.435~2.771 GHz,... 设计了一种低相位噪声的CMOS压控振荡器,采用互补差分对结构、开关偏置电流源和源极电容耦合技术,有效降低了压控振荡器的相位噪声。芯片采用标准0.18 um 1P6M RF CMOS工艺实现,电源电压为1.8 V。测得的输出频率范围是2.435~2.771 GHz,消耗电流为3.3 mA,当控制电压接地时,相位噪声分别为-94.55 dBc/Hz@10 kHz和-127.24 dBc/Hz@1 MHz,算得其FOMT为-188.32 dB。 展开更多
关键词 压控振荡器 相位噪声 源极电容耦合 开关偏置
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