期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
24Gb/s 0.2μm GaAs PHEMT 2:1复接器
被引量:
1
1
作者
杨守军
王志功
+3 位作者
朱恩
冯军
熊明珍
夏春晓
《电路与系统学报》
CSCD
2004年第5期8-11,共4页
超高速复接器是光通信传输系统中的关键部件之一和速度瓶颈之一。本文利用 0.2μm GaAs PHEMT(砷化镓伪高电子迁移率晶体管)工艺,设计出了超高速 2:1 复接器。应用一种简单而有效的宽带匹配方法,使得外部信号有效地传输到芯片内部。利...
超高速复接器是光通信传输系统中的关键部件之一和速度瓶颈之一。本文利用 0.2μm GaAs PHEMT(砷化镓伪高电子迁移率晶体管)工艺,设计出了超高速 2:1 复接器。应用一种简单而有效的宽带匹配方法,使得外部信号有效地传输到芯片内部。利用源极耦合电容的微分作用,加速晶体管的开、关转换,提高锁存器和 D 触发器的工作速率。窄传输线当作电感的应用,补偿了电容的影响,同时还减小了芯片面积。设计了一种测试方法,解决了复接器需要多路超高速信号源的问题。芯片通过功能测试验证,数据速率可达到 24Gb/s。
展开更多
关键词
复接器
匹配
源
极
耦合
电容
传输线
测试
下载PDF
职称材料
一种低相位噪声压控振荡器的设计
被引量:
1
2
作者
许奔
丁庆
+2 位作者
王鑫
冯军正
吴光胜
《通信技术》
2019年第11期2803-2807,共5页
设计了一种低相位噪声的CMOS压控振荡器,采用互补差分对结构、开关偏置电流源和源极电容耦合技术,有效降低了压控振荡器的相位噪声。芯片采用标准0.18 um 1P6M RF CMOS工艺实现,电源电压为1.8 V。测得的输出频率范围是2.435~2.771 GHz,...
设计了一种低相位噪声的CMOS压控振荡器,采用互补差分对结构、开关偏置电流源和源极电容耦合技术,有效降低了压控振荡器的相位噪声。芯片采用标准0.18 um 1P6M RF CMOS工艺实现,电源电压为1.8 V。测得的输出频率范围是2.435~2.771 GHz,消耗电流为3.3 mA,当控制电压接地时,相位噪声分别为-94.55 dBc/Hz@10 kHz和-127.24 dBc/Hz@1 MHz,算得其FOMT为-188.32 dB。
展开更多
关键词
压控振荡器
相位噪声
源极电容耦合
开关偏置
下载PDF
职称材料
题名
24Gb/s 0.2μm GaAs PHEMT 2:1复接器
被引量:
1
1
作者
杨守军
王志功
朱恩
冯军
熊明珍
夏春晓
机构
东南大学射频与光电集成电路研究所
出处
《电路与系统学报》
CSCD
2004年第5期8-11,共4页
基金
863 计划研究项目(2001AA312050)
文摘
超高速复接器是光通信传输系统中的关键部件之一和速度瓶颈之一。本文利用 0.2μm GaAs PHEMT(砷化镓伪高电子迁移率晶体管)工艺,设计出了超高速 2:1 复接器。应用一种简单而有效的宽带匹配方法,使得外部信号有效地传输到芯片内部。利用源极耦合电容的微分作用,加速晶体管的开、关转换,提高锁存器和 D 触发器的工作速率。窄传输线当作电感的应用,补偿了电容的影响,同时还减小了芯片面积。设计了一种测试方法,解决了复接器需要多路超高速信号源的问题。芯片通过功能测试验证,数据速率可达到 24Gb/s。
关键词
复接器
匹配
源
极
耦合
电容
传输线
测试
Keywords
multiplexer
matching
source coupled capacitor
transmission line
test
分类号
TN722.7 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
一种低相位噪声压控振荡器的设计
被引量:
1
2
作者
许奔
丁庆
王鑫
冯军正
吴光胜
机构
华讯方舟科技有限公司
出处
《通信技术》
2019年第11期2803-2807,共5页
基金
深圳市科创委技术攻关项目:基于CMOS工艺的250 GHz无线收发系统芯片关键技术研发(No.JSGG20170414140231091)~~
文摘
设计了一种低相位噪声的CMOS压控振荡器,采用互补差分对结构、开关偏置电流源和源极电容耦合技术,有效降低了压控振荡器的相位噪声。芯片采用标准0.18 um 1P6M RF CMOS工艺实现,电源电压为1.8 V。测得的输出频率范围是2.435~2.771 GHz,消耗电流为3.3 mA,当控制电压接地时,相位噪声分别为-94.55 dBc/Hz@10 kHz和-127.24 dBc/Hz@1 MHz,算得其FOMT为-188.32 dB。
关键词
压控振荡器
相位噪声
源极电容耦合
开关偏置
Keywords
VCO
phase noise
source capacitance coupling
switching bias
分类号
TN752 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
24Gb/s 0.2μm GaAs PHEMT 2:1复接器
杨守军
王志功
朱恩
冯军
熊明珍
夏春晓
《电路与系统学报》
CSCD
2004
1
下载PDF
职称材料
2
一种低相位噪声压控振荡器的设计
许奔
丁庆
王鑫
冯军正
吴光胜
《通信技术》
2019
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部