基于源极电感检测法的SiC MOSFET短路保护电路研究

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)凭借高工作温度、高开关频率和低导通损耗等优点,被广泛应用于高压、高温和高工作频率场合,但SiCMOSFET的短路耐受时间较小,仅为2~5μs,这对SiCMOSFET的短路保护电路提出了更高的要求。首先总结分析SiCMOSFET短路故障特性,然后基于源极电感检测法设计一款SiCMOSFET短路保护电路并简要分析其工作原理,最后搭建实验平台进行实验验证。实验结果表明,所设计的短路保护电路结构简单,当SiCMOSFET发生硬开关短路故障或负载短路故障时,保护电路能够在故障发生的1μs内关断器件,保证器件的安全运行。