LP-MOCVD生长InGaAlP系统中源气流量的动力学研究

分析了LP -MOCVD生长InGaAlP外延层时 ,气路系统中ⅢA族源气的输运和扩散过程 ,从理论上推导出源气流量的计算公式 ,讨论了生长控制参数、气路管道几何尺寸和源气性质等对注入反应室的源气流量的影响 ,为精确控制气相中ⅢA族源物质的百分含量提供了理论依据。