源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响

采用金属硅化物扩散层分隔技术制备了源漏区具有不同硅化物挡板尺寸的环型栅PD SOI MOSFETs,通过CLP实验数据分析器件的硅化物隔离档板的尺寸对SOI NMOSTET抗ESD能力以及对多指栅ggnMOS管子导通均匀性的影响。结果显示,采用了硅化物隔离挡板的管子二次击穿电压明显提高;随着挡板尺寸增加,多指栅的导通均匀性得到明显改善。

n沟肖特基势垒隧穿晶体管特性研究

利用自主开发的蒙特卡罗器件模拟软件 ,对 n沟肖特基势垒隧穿晶体管 (SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟 ,详细分析了沟道区掺杂浓度 ,源漏硅化物区深度以及栅氧化层厚度对 SBTT特性的影响。