多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件的优化设计

针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题 ,采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏 ,增加晶体管的开关电流比值。通过模拟轻掺杂区不同的物理参数 ,如掺杂浓度及掺杂区宽度等 ,研究薄膜晶体管的开关电流比值。由此确定像素各部分的尺寸 ,对液晶显示器件进行优化设计。