溴氧化镧的缺陷发光

用高温固相法合成了具有缺陷发光的溴氧化镧基质。对样品进行了X-射线衍射、荧光光谱和热释光谱的测试。荧光光谱分析得出在1000℃合成溴氧化镧基质在350nm到500nm存在两个宽带发射,通过与LaOF、LaOCl的荧光光谱和热释光谱对比,得出溴氧化镧基质的发光归结于溴的缺陷,通过计算发现两种不同类型的缺陷能级分别为0.74eV,0.70eV。

溴氧化镧铽荧光粉中铽离子间的能量转移

中文讨论了溴氧化镧铽荧光粉中。随着掺杂T_b^(3+)离子浓度的增大,发光能级之间将产生无辐射共振转移。从而产生了T_b^(3+)离子~5D_ 3→~7F_ J发光的浓度猝灭效应。根据Dexter模型,推出了多极矩耦合的无辐射迁移几率依赖于浓度的变化关系式,进一步计算了八种不同浓度的电偶极一电偶极之间和电偶极一电四极之间的无辐射迁移几率。并计算了~6D_3→~7F_J和~5D_4→~7F_J的色度坐标,它们分别为x=0.149、y=0.034和x=0.287、y=0.625。

溴氧化镧:铽增感屏

本文扼要阐述了与医用X线皎片匹配使用的荧光增感屏的结构和主要性能,如:增感效率、分辨率、光谱特性、余辉等,阐明了稀土元素增感屏较之传统的钨酸钙增感屏的种种优越性,重点介绍了目前应用最多的稀土元素荧光粉——溴氧化镧:铽的制备方法和特性,并列举了有关试验数据。

溴氢氧化镧的合成及结构

在常温常压下由溴氧化镧与水蒸汽反应合成了溴氢氧化镧,用示差热分析和热失重分析方法研究了溴氢氧化镧的热分解过程——在空气中于360—405℃,在氮气流中于315—347℃热分解,脱水后生成溴氧化镧。用粉末X射线衍射确定了本实验所合成的溴氢氧化镧(La(OH)_(2)Br)的晶体结构,是斜方晶系,α=8.9064,6=13.024,c=5.5630。讨论了溴氢氧化镧的有关化学性质。

一种制备高比表面积LaOBr的新方法

采用以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂和溴源的新型溶胶-凝胶法制备了LaOBr纳米粒子,考察了制备过程中灼烧温度、反应介质、沉淀过程及水热过程等因素对产物LaOBr物理性质的影响,并利用X射线衍射、比表面积测定和高分辨扫描电镜等技术进行了表征。结果表明,所得LaOBr样品均为单相四方结构,形貌为羽毛状,比表面积最高可达26 m2.g-1以上。