间歇式溶液添加法制备片状HAP

在研究 HAP的表面结构、表面电荷性能、表面吸附特性的基础上 ,对现有的水溶液制备 HAP的方法进行改进 ,不用通常的缓慢而持续滴加反应溶液的方法 ,而采用间歇式反应溶液滴加法 ,再通过控制溶液的 p H值 (7.0～7.5 ) ,以及反应溶液的添加次序等 ,最终得到片状 HAP晶体。用 X-射线衍射分析 ,红外光谱分析 ,扫描电镜形貌观察 ,对片状 HAP的性能及结构进行分析 ,并对

Cu元素对氧化锌压敏电阻性能的影响

通过添加Cu(NO3)2溶液的方式,在中压压敏电阻基础料中引入杂质元素Cu,测试其电性能并分析影响机理。得出:Cu元素在压敏电阻中无论哪种固溶形式,都是以受主态方式对压敏电阻的性能产生影响;随着Cu掺入量的增加,施主浓度Nd减小,但同时也引起晶界界面电子态密度Ns的减少,补偿了施主浓度的减少,从而使φB减少,非线性系数减小;随着Cu掺入量的增加,晶粒电阻增大,晶界电阻减小,使电压梯度上升,漏电流几乎不变,电容增大,残压比增大,通流能力和耗散能量能力变差;对比基料来讲,添加Cu元素之后漏电流是下降的;建议在生产过程中,Cu掺入量(质量分数)最好不要超过8×10-6,最大不要超过20×10-6。

钾元素对氧化锌压敏电阻电性能的影响

采用溶液添加法在中压压敏电阻中引入金属K+离子,研究不同含量的K+对ZnO压敏电阻电性能的影响及其机理,结果表明:K+能增强ZnO压敏电阻的稳定性,富集在晶界处的K+因补充了晶界处正点中心的数量,使耐受8/20μs峰值电流冲击性能提高;K2O的高温液相烧结促使瓷体的气泡等烧结缺陷减少,使其2ms方波脉冲冲击性能提高;随着K掺入量的增加和烧结时间的延长,晶粒尺寸增大,压敏电压梯度减小。