一种通过优化热处理条件提升CIS器件性能的方法

成像暗线噪声和满阱电容是影响互补型金属氧化物半导体图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)芯片成像质量的重要性能参数。为了在单位面积内集成更多像素单元,单个像素尺寸不断缩小。一般来说,CIS芯片满阱电容与像素尺寸成正比。基于小尺寸像素而获得高满阱电容需要不断提升光电二极管的掺杂浓度。光电二极管阵列的窄间距和高掺杂浓度导致光电二极管间,光电二极管与像素区器件间的隔离效果变差,成像暗线失效严重。探索一种通过热处理工艺改善隔离效果的新方法。基于快速热氧化工艺和快速热退火工艺升温曲线的差异,通过优化热处理工艺条件,改善像素区隔离效果,将成像暗线噪声失效率降低73.2%,提升CMOS图像传感器产品良率。