托卡马克电场电子注入的漂移电子束研究

研究了漂移电子束中电子的运动规律，得到了电子在外加电场、纵磁场和电子束自场中的运动轨迹和漂移速度表达式，并就它们的成束条件、成束形状和电压要求以及束的稳定性条件进行了比较和讨论，认为阴极垂直于纵磁场放置更好一些。

强流相对论多注电子束在空心圆柱波导中的漂移

建立了多注电子束在空心圆柱波导中传输的理论模型,定量分析了多注电子束自电磁场力与镜像电磁场力对其角向运动的影响,并推导了考虑镜像束流影响下多注电子束的布里渊磁场.开展了模拟仿真研究,模拟与理论计算结果基本一致.研究发现:当电子束注数较少且靠近波导管壁传输时,镜像电磁场力是影响多注电子束角向漂移的主要因素;随着电子束注数或电子束与波导壁间距的增加,镜像电磁场力迅速减小并趋近于零,此时自电磁场力起主导作用;在一般情况下,漂移角速度的变化百分比只与加速电压有关,与多注电子束的注数、空间位置关系等参数无关.在输出电压约670 kV,电流约7 kA,空心圆柱波导长约100 mm的平台上开展了实验研究,研究发现多注电子束存在明显的畸变,通过进一步的分析认为多注阴极柱的侧面发射是导致电子束畸变的一个主要因素,并且二极管加速区的角向漂移不可忽视.提出并模拟验证了采取倾斜多注阴极柱的方法可提高电子束的引入效率.

在He/C_3H_8(60/40)混合气体中电子的漂移和倍增

报道用均匀场漂移室测量得到在He/C3H8(60/40)混合气体中的电子饱和漂移速度为3.8cm/μs。气体增益在2×104以上将出现饱和效应。由于很好地降低了放大器的噪音干扰,在55Fe能谱的低端观察到1.5keVAl的特征KX射线在He原子上产生的的全能光电峰。

电子漂移速度的几种计算方法及其比较

根据经典电子论分别采用三种不同的方法:算术平均法、统计平均法和电子动力学方程法解出金属中电子的平均漂移速度,并且对三种方法所得到的不同结果进行了比较分析.

BESⅢ主漂移室电子学测试系统软件

介绍了BESⅢ主漂移室电子学测试系统的组成、测试软件的实现方法及主要测试功能。测试软件开发是基于MS Visual C++6.0和NI LabVIEW 7.1,在以SBS VP7和PowerPC为系统控制器的两种硬件测试系统上分别实现了较为完善的测试软件,为硬件的调试和系统的性能检测提供了全面、方便和有效的手段。

磁电子漂移波的非线性演化

论文采用布热津斯基流体方程[1] ,研究非磁化非均匀等离子体中存在耗散效应情况下的非线性磁化电子漂移模 .首先导出扰动磁场和扰动温度的非线性耦合方程组 .采用Stenflo方法 ,得到描述振幅演化的类Lorentz模的非线性方程组 .对方程组的数值研究表明 ,在参数空间的不同区域可以出现有序和混沌结构 .

电子漂移速度测量

1主要内容 20世纪初云室的发明实现了气体中带电粒子运动径迹的测量,但其记录方法早期多为照相法,图像需特殊的测量器具分析,工作过程缓慢且繁琐.物理学家夏帕克（G.Charpak）发明了多丝正比室,很好地解决了上述困难,因此获1992年诺贝尔物理学奖.实验涉及到力学、电磁学和高能物理等诸多分支学科,其设计思想源自高能物理实验中多丝室和漂移室的应用.漂移室的结构与多丝正比室类似.

基于LabVIEW的主漂移室电子学测试系统软件的设计

介绍了在图形化开发环境LabVIEW及其调用动态链接库机制的基础上,设计并实现的BESⅢMDC电子学测试系统软件。该软件完成了系统的各项硬件调试和性能检测,为测试系统提供了一种有效、简便、可行的调试手段。

Ar+CH_4混合气体中电子漂移速率的双栅法测量

提出了一种快速、准确测量电子在气体中漂移速率的新方法。通过分析电子在双栅电离室中两个栅极上产生的感应信号波形来确定电子漂移的起止时刻,从而得出电子在一定约化场强下的漂移速率。采用数据采集卡(waveform digitizer)对电离室的极板信号进行记录。测量了电子在8种混合比例的Ar+CH4气体中漂移速率随约化场强的变化曲线。通过分析实验数据,得到任意混合比例的Ar+CH4气体中电子漂移速率的计算公式。

BESⅢ漂移室电子学的校正时序电路

描述了正在升级改造的北京谱仪Ⅲ漂移室电子学校正时序电路。重点介绍了其时序电路的技术要求,设计考虑和电路的工作原理,并给出了测试结果。

阴极形变引起的电子束漂移的实验和计算

用电子光学系统测量和数值计算两种方法,初步探讨了发叉式钨丝热阴极因热形变引起的电子枪交叉斑的横向漂移,以及电子束方向角的变化,得出了一定条件下的定量关系。

无场笼电离室电子漂移时间研究

使用无场笼电离室是低本底实验中氡含量在线监测的一种实验方案.利用北京正负电子对撞机(BEPC)上E3束流线的强子p/π束流,对无场笼电离室样机进行了测试.实验结果表明,样机边缘处电场是中心区域的三倍以上,此时测量得到原初电离电子漂移8 cm所需时间在电场均匀性较好的区域内为(1.13±0.44)μs,在电离室全部区域内是(1.99±1.13)μs.因此,当采用无场笼电离室方案时,需充分考虑信号上升时间,以提高信号探测效率.

GaN HFET中局域电子气产生的动态电流

从不同栅电压下异质结能带和电子气状态研究出发,研究了GaN HFET栅压变化时的异质结充放电过程。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算出不同偏置电压下内、外沟道的导带底。引入局域电子气势垒来甄别沟道中的漂移电子气和局域电子气的不同输运行为。详细研究了栅、漏偏置变化时的异质结充放电和局域电子气充放电。从这两种新的充放电效应出发,建立起描述沟道动态电流的电压控制模型,成功解释了陷阱俘获电荷模型不能解释的各类动态电流实验。

纤锌矿型GaN电子迁移率的计算

考虑了对纤锌矿型氮化镓低场电子输运影响最为显著的4种散射机制———电离杂质散射,极化光学波散射,声学波压电散射和声学声子形变势散射的单个平均动量驰豫时间,采用Mattiessensrule计算了不同补偿率以及不同载流子浓度条件下,氮化镓电子漂移迁移率,霍耳因子以及霍耳迁移率随温度的变化.计算表明,温度小于200K时总霍耳因子随温度的增加而增加,200K时达到峰值1.22,温度大于200K后霍耳因子则随着温度的增大而减小.此外,在包括室温在内的较高温度下,极化光学波散射对电子迁移率的变化起决定作用.温度较低时,声学波压电散射对电子迁移率的影响较大.

真空电子偶素产额法测定正电子在固体中的扩散参数

本文报告一个新的实验方法,可以从实验上测定正电子在金属中的扩散参数。过去,用加电场E测正电子漂移速度V,由迁移率μ=V/E,通过关系式D_+=μKT/e求出扩散系数D_+。此法只能用于半导体和非金属材料,对于金属只能靠理论估算。本文所述真空电子偶素产额法不但适用于半导体和非金属,而且适用于金属材料。对于金属材料这也是目前唯一能用的方法。

大气压氩气直流放电一维仿真电子崩分析

针对大气压氩气直流放电,建立一维仿真模型,设置了初始电子的密度和确切位置,通过求解,得到如下结果:初始电子崩由阴极的初始电子碰撞电离产生,电子碰撞电离产生17代电子之前,电子每发生一次碰撞电离走过的路程和时间都几乎未发生变化,电子漂移的速度是恒定的,电子崩的发展速度是恒定的,在17代电子到20代电子时,电子每发生一次碰撞电离走过的路程和时间变长,电子漂移速度减慢,且电子在从初始位置走到0.9mm时,电子数随位置变化曲线呈指数型,在0.9mm后电子数分布在指数趋势线下,仿真分析结果与reather相关理论描述的相一致。

电致塑性效应机制研究及其展望

对电致塑性微观机制的研究现状进行综合评述,讨论了漂移电子在电场作用下形成的电子风力对可动位错密度、分布和结构的影响,对堆垛层错能的影响,对显微组织的影响,同时对现有的研究理论基础进行了总结,最后对金属电致塑性的应用及所面临的技术问题进行了分析。

GaN HFET沟道中的强场峰和场效应管能带

引入新的解析函数来描绘GaN HFET沟道中的电势、电场强度和电场梯度。自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算了沟道强场峰中的场效应管能带。研究了不同栅、漏电压下的场效应管能带,计算出强场峰中的局域电子气势垒。详细计算了强场峰中的电场峰、能带谷、能带峰和局域电子气势垒随栅、漏电压的变化曲线。研究了高漏压下场效应管射频工作性能的退化和沟道开关时电场梯度与沟道电子状态间的相互作用。由此证明漏压决定了沟道中的电场梯度,栅压控制了沟道电子的状态,两者之间的相互作用描绘出一幅复杂的场效应管能带图像。通过EL谱和可靠性测试中的退化率直接观察强场峰内的局域电子气。最后讨论了这一场效应管能带理论在优化设计器件结构中的重要作用。

空间电磁卫星的粒子探测与汶川地震

通过电磁卫星研究地震与空间电离层和磁层的电磁场等参数的变化关系作为地面地震预报研究的补充,是近年来研究地震规律和预报方式的一个新的研究方向,研究空间带电粒子的相关特性是其中的一个重要内容.分析了法国DEMETER电磁卫星上的高能电子探测器在2008年间的探测数据,特别是在我国汶川地震前后的数据,研究了内辐射带高能电子在东西经度方向漂移的情况;地震前后汶川上空及不同经纬区域范围内空间电子能谱的变化;以及汶川地区的余震与空间电子通量在短时标上的关联.发现在90～600 keV能区,90°E～110°E,47°N～49°N的汶川北部区域,地震当天与地震前后几天的能谱有明显差别;在VLF发射站引起的电子沉降带上的能谱在地震前有显著低能段涨高.