半导体漂移-扩散方程解的上下界整体估计

考虑漂移 -扩散半导体方程瞬态解的整体有界性估计问题 .在迁移率和产生 -复合满足适当条件下 ,应用 Stampacchia的最大模估计方法 。

半导体漂移-扩散方程速度饱和情形的稳态解

考虑半导体方程稳态模型的混合边值问题 ,应用Schauder不动点定理证明了逼近解的存在性 ,通过一系列先验估计的获得 ,利用紧致性原理证明了稳态解的存在性 .

半导体漂移-扩散方程速度饱和情形的稳态解

考虑半导体方程稳态模型的混合边值问题 ,应用Schauder不动点定理证明了逼近解的存在性 ,通过一系列先验估计的获得 。

半导体漂移-扩散方程解的整体有界性

研究半导体方程解的整体性质 ,应用Stampacchia的最大模估计方法 。

Fourier-Besov空间中双极型漂移-扩散方程的稳态极限

本文证明一类耗散方程{n_(t)^(∈)(-△)^(θ/2)n^(∈)+↓△·(n^(∈)↓△Ф^(∈)=0,(x,t)∈R^(d)×(0,∞),c_(t)^(∈)(-△)^(θ/2)c^(∈)+↓△·(c^(∈)↓△Ф^(∈)=0,(x,t)∈R^(d)×(0,∞),1/cφ_(t)^(∈)=(-△)^(θ/2)φ^(∈)+n^(∈)-c^(∈),(x,t)∈R^(d)×(0,∞),(n^(∈),c^(∈),φ^(∈))|t=0-(n_(0),c_(0),φ_(0),x∈R^(d)收敛(e→+∞)到双极型漂移-扩散方程{n_(t)+(-△)^(θ/2)n+↓△·(n↓△φ)=0,(x,t)∈R^(d)×(0,∞),c_(t)+(-△)^(θ/2)c+↓△·(c↓△φ)=0,(x,t)∈R^(d)×(0,∞),0=(-△)^(θ/2)φ+n-c,(x,t)∈R^(d)×(0,∞),(n,c)|t=0=(n_(0),c_(0),x∈R^(d),其中θ∈(1,2]和d≥3.确切地说,当p、q和θ满足一定的条件且初值满足(n_(0),c_(0)∈FB_(q,∞)^(2-2θ+d-d/q(R^(d)×FB_(q,∞)^(2-2θ+d-d/q*R^(d),φ_(0)∈FB_(q,∞)^(2-θ+d0d/q)(R^(d)∩FB_(1,)^(2-θ)(R^(d),本文利用Fourier局部化技巧和Littlewood-Paley分解理论证明了,若ε→+∞,则在Fourier-Besov空间中,(n^(∈),c^(∈))关于时间变量一致收敛到(n,c).

挟沙水流中悬浮颗粒的漂移—扩散方程

本文基于固液两相流动双流体模型的基本方程推导得到了挟沙水流中悬浮颗粒的漂移—扩散方程。该方程表明 ,除重力外 ,作用在颗粒上的升力、虚拟质量力、Basset力等 ,以及颗粒间相互作用都会影响颗粒浓度分布。对明渠中悬浮颗粒浓度垂线分布分析结果表明 ,在床面附近有较大值的升力是使得悬浮颗粒浓度在趋近床面时增大趋势趋缓 ,甚至趋向于零的重要因素 。

关于等热双极半导体模型松弛极限的一个注记(英文)

在这个注记里,考虑了一维等热双极半导体模型.这个系统实际上是在动量方程有电场项和磨擦阻力项(阻力系数是τ-1)的欧拉-泊松方程组.当τ→0+,使用熵不等式和L1里的弱紧性原理,证明了一维等热双极半导体模型的弱熵解收敛到相应的双极漂移-扩散方程的解.也即是:当τ充分小时,等热双极半导体模型和相应的双极漂移-扩散方程是相似的.

Fe/GaAs中自旋注入效率的研究

自旋电子学是近年来发展迅速的一个研究领域,利用了传导电子自旋这一自由度的自旋电子器件以其提高数据处理速度、降低能量消耗、容易增加集成密度等优点正引起人们的空前关注。文中阐述了自旋的漂移-扩散方程,并对以Fe/GaAs为代表的铁磁性金属/半导体结构(FM/SC)进行了简单分析。如果选取参数适当,可以在Fe/GaAs结中获得较大的自旋注入效率。

异质双栅结构LDMOS的物理建模和仿真

对一种采用新结构的LDMOS(lateral double diffused metal oxide semiconductor)器件建立了模型.该器件在LDMOS中采用异质双栅(dual material gate,DMG)结构,这样使得该器件(DMG-LDMOS)同时具有LDMOS和DMG MOSFET的特性和优点.给出了DMG-LDMOS中沟道区表面电势和电场的一维表达式,并在此基础上考虑了大驱动电压下引入的沟道载流子速度过冲效应的影响,建立了基于物理的沟道电流模型.最后比较了Medici器件仿真结果和所建立的沟道电流模型,验证了该模型的可用性.