1
|
带有肖特基漏极和场板结构的反向阻断垂直MOSFET研究 |
李涛
冯保才
刘型志
王晓飞
赵羡龙
|
《微电子学》
CAS
北大核心
|
2023 |
0 |
|
2
|
一种DMOS漏极背面引出的BCD工艺 |
马奎
杨发顺
林洁馨
傅兴华
|
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
|
2013 |
2
|
|
3
|
毫米波三端器件漏极混频器的研究 |
徐锐敏
肖绍球
延波
薛良金
|
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2001 |
1
|
|
4
|
高P_r/低P_r栅FFET漏极电流与铁电材料特性的关系 |
顾江
施敏
王强
蔡小鹏
|
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
|
2010 |
1
|
|
5
|
CMOS IC漏极静态电流测试技术的现状与发展 |
姜岩峰
张晓波
鞠家欣
|
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
|
2004 |
1
|
|
6
|
三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法 |
林洁馨
杨发顺
马奎
唐昭焕
傅兴华
|
《现代电子技术》
北大核心
|
2016 |
0 |
|
7
|
漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响 |
吴晓鹏
杨银堂
董刚
高海霞
|
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2014 |
0 |
|
8
|
极化电压与铁电场效应晶体管漏极电流的稳定性关系 |
王强
曹伟东
章国安
陆健
|
《南通大学学报(自然科学版)》
CAS
|
2012 |
0 |
|
9
|
考虑寄生参数的高压GaN功率放大器漏极调制电路分析 |
陈晓青
成爱强
朱昕昳
顾黎明
唐世军
|
《Transactions of Nanjing University of Aeronautics and Astronautics》
EI
CSCD
|
2022 |
0 |
|
10
|
栅、漏极衰减对FET数目的影响 |
王春兴
|
《山东师范大学学报(自然科学版)》
CAS
|
2001 |
0 |
|
11
|
F类功率放大器漏极电压研究 |
章宏
蔡斐
解冰一
吕国强
|
《电子科技》
|
2011 |
2
|
|
12
|
漏极注入HPM对高电子迁移率晶体管的损伤机理 |
薛沛雯
方进勇
李志鹏
孙静
|
《中国空间科学技术》
EI
CSCD
北大核心
|
2017 |
1
|
|
13
|
基于传统的CMOS工艺延伸漏极NMOS功率管研究 |
浦志卫
郭维
|
《电子器件》
EI
CAS
|
2006 |
1
|
|
14
|
毫米波频段下MOSFET漏极电流噪声的统一模型 |
罗震
王军
|
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2017 |
0 |
|
15
|
具有垂直漏极场板的GaN HEMT器件结构设计 |
唐健翔
孙友磊
王颖
|
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
|
2019 |
1
|
|
16
|
共漏极双功率MOSFET封装研究 |
毕向东
|
《电子与封装》
|
2011 |
1
|
|
17
|
固态功率放大器栅极与漏极双脉冲调制技术的设计与应用 |
路鹏举
赵莉
|
《甘肃科技》
|
2014 |
1
|
|
18
|
提升HV PMOS漏极击穿电压的工艺改进方法 |
朱天志
|
《电子科技》
|
2008 |
0 |
|
19
|
沟道和漏极散射机制对短沟道应变硅二极管性能的影响 |
亚森江.吾甫尔
买买提明.艾尼
买买提热夏提.买买提
阿布都克力木.阿布都热合曼
|
《材料导报(纳米与新材料专辑)》
EI
|
2015 |
0 |
|
20
|
K频段FET漏极混频器仿真设计与实现 |
王芹英
刘德喜
|
《遥测遥控》
|
2012 |
0 |
|