提升HV PMOS漏极击穿电压的工艺改进方法

文中讲述了一种通过改进高压PMOS源漏极轻掺杂扩散结构(LDD),来提升高压PMOS的漏极击穿电压的工艺改进方法,并且该工艺改进不影响其他器件性能。分析了工艺改进提升漏极击穿电压的机制。