深亚微米槽栅PMOSFET特性研究

基于流体动力学能量输运理论,对槽栅PMOSFET器件的端口特性进行了仿真研究,包括栅极特性、漏极驱动能力和抗热载流子性能等。仿真结果表明,与平面器件相比,槽栅结构很好地抑制了短沟道效应和漏感应势垒降低效应,并具有较好的抗热载流子性能,但其漏极驱动能力低于平面器件,并从内部物理机制上解释了上述区别。

场效应管及其应用电路的简明分析法

对场效应管及其应用电路,传统的分析方法是基于场效应管UGS控制ID的基础理论。笔者在传统理论的基础上,进一步将场效应管引申为一个电压控制电阻的元件,对分析场效应管及其应用电路更为简明直观,并把这种分析方法命名为"受控电阻法"。