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CMOS IC漏极静态电流测试技术的现状与发展
被引量:
1
1
作者
姜岩峰
张晓波
鞠家欣
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期446-450,共5页
全面介绍了CMOS集成电路漏极静态电流(IDDQ)测试技术的现状、应用及其发展趋势。与其它主要用于检测逻辑功能的测试技术不同,IDDQ主要用于检测电路的物理缺陷和工艺故障。作为逻辑功能测试的重要补充,IDDQ技术可提高集成电路的可测性...
全面介绍了CMOS集成电路漏极静态电流(IDDQ)测试技术的现状、应用及其发展趋势。与其它主要用于检测逻辑功能的测试技术不同,IDDQ主要用于检测电路的物理缺陷和工艺故障。作为逻辑功能测试的重要补充,IDDQ技术可提高集成电路的可测性和故障覆盖率,保证集成电路的可靠性。
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关键词
CMOS
故障检测
漏极静态电流
可测试性设计
集成电路
下载PDF
职称材料
题名
CMOS IC漏极静态电流测试技术的现状与发展
被引量:
1
1
作者
姜岩峰
张晓波
鞠家欣
机构
北方工业大学信息工程学院微电子中心北京市现场总线与自动化技术重点实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期446-450,共5页
基金
北京市重点实验室开发课题(KF200209)
文摘
全面介绍了CMOS集成电路漏极静态电流(IDDQ)测试技术的现状、应用及其发展趋势。与其它主要用于检测逻辑功能的测试技术不同,IDDQ主要用于检测电路的物理缺陷和工艺故障。作为逻辑功能测试的重要补充,IDDQ技术可提高集成电路的可测性和故障覆盖率,保证集成电路的可靠性。
关键词
CMOS
故障检测
漏极静态电流
可测试性设计
集成电路
Keywords
CMOS IC
Defect detection
IC test
Design for testability
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CMOS IC漏极静态电流测试技术的现状与发展
姜岩峰
张晓波
鞠家欣
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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