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CMOS IC漏极静态电流测试技术的现状与发展 被引量:1
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作者 姜岩峰 张晓波 鞠家欣 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期446-450,共5页
 全面介绍了CMOS集成电路漏极静态电流(IDDQ)测试技术的现状、应用及其发展趋势。与其它主要用于检测逻辑功能的测试技术不同,IDDQ主要用于检测电路的物理缺陷和工艺故障。作为逻辑功能测试的重要补充,IDDQ技术可提高集成电路的可测性...  全面介绍了CMOS集成电路漏极静态电流(IDDQ)测试技术的现状、应用及其发展趋势。与其它主要用于检测逻辑功能的测试技术不同,IDDQ主要用于检测电路的物理缺陷和工艺故障。作为逻辑功能测试的重要补充,IDDQ技术可提高集成电路的可测性和故障覆盖率,保证集成电路的可靠性。 展开更多
关键词 CMOS 故障检测 漏极静态电流 可测试性设计 集成电路
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