期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
高电流密度Ga2O3 MOSFET器件的研制
1
作者
田秀伟
马春雷
+3 位作者
刘沛
韩婷婷
宋旭波
吕元杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第10期740-744,786,共6页
研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010) Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10^(18)cm^(-3),n型沟道...
研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010) Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10^(18)cm^(-3),n型沟道厚度为80 nm。采用Si离子注入工艺,器件欧姆特性得到大幅改善,欧姆接触电阻降至1. 0Ω·mm。采用原子层沉积(ALD)厚度为25 nm的Hf O2作为器件的栅下绝缘介质层。测试结果表明,在栅偏压为0 V时,器件的开态导通电阻仅为65Ω·mm,漏源饱和电流密度达到173 m A/mm,器件的三端关态击穿电压达到120 V。
展开更多
关键词
氧化镓(Ga2O3)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
漏源饱和电流密度
离子注入
击穿电压
下载PDF
职称材料
大电流密度高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制(英文)
2
作者
王丽
谭鑫
吕元杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期917-920,925,共5页
在SiC衬底上制备得到了表面钝化氮化硅(SiN)的AlGaN/Ga N高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)。采用高电子浓度的AlGaN/GaN异质结材料、90 nm T型栅、100 nm SiN表面钝化、低欧姆接触以及较短漏源间距等方法来提升器件性能。在Vgs=4 V时器...
在SiC衬底上制备得到了表面钝化氮化硅(SiN)的AlGaN/Ga N高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)。采用高电子浓度的AlGaN/GaN异质结材料、90 nm T型栅、100 nm SiN表面钝化、低欧姆接触以及较短漏源间距等方法来提升器件性能。在Vgs=4 V时器件的最大漏源饱和电流密度为1.72 A/mm,最大跨导为305 m S/mm,此结果为国内报道的AlGaN/GaN HEMT器件最大漏源饱和电流密度。此外,栅长为90 nm T型栅器件的电流增益截止频率(fT)为109GHz,最大振荡频率(fmax)为144 GHz。
展开更多
关键词
A1GAN/GAN
HEMT
SiN钝化
漏源饱和电流密度
电流
增益截止频率
T型栅
下载PDF
职称材料
题名
高电流密度Ga2O3 MOSFET器件的研制
1
作者
田秀伟
马春雷
刘沛
韩婷婷
宋旭波
吕元杰
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国航天标准化与产品保证研究院
专用集成电路重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第10期740-744,786,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61674130,61306113)
文摘
研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010) Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10^(18)cm^(-3),n型沟道厚度为80 nm。采用Si离子注入工艺,器件欧姆特性得到大幅改善,欧姆接触电阻降至1. 0Ω·mm。采用原子层沉积(ALD)厚度为25 nm的Hf O2作为器件的栅下绝缘介质层。测试结果表明,在栅偏压为0 V时,器件的开态导通电阻仅为65Ω·mm,漏源饱和电流密度达到173 m A/mm,器件的三端关态击穿电压达到120 V。
关键词
氧化镓(Ga2O3)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
漏源饱和电流密度
离子注入
击穿电压
Keywords
Ga203
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)
drain-source saturation current density
ion implantation
breakdown voltage
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
大电流密度高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制(英文)
2
作者
王丽
谭鑫
吕元杰
机构
科技信息中心
专用集成电路重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期917-920,925,共5页
文摘
在SiC衬底上制备得到了表面钝化氮化硅(SiN)的AlGaN/Ga N高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)。采用高电子浓度的AlGaN/GaN异质结材料、90 nm T型栅、100 nm SiN表面钝化、低欧姆接触以及较短漏源间距等方法来提升器件性能。在Vgs=4 V时器件的最大漏源饱和电流密度为1.72 A/mm,最大跨导为305 m S/mm,此结果为国内报道的AlGaN/GaN HEMT器件最大漏源饱和电流密度。此外,栅长为90 nm T型栅器件的电流增益截止频率(fT)为109GHz,最大振荡频率(fmax)为144 GHz。
关键词
A1GAN/GAN
HEMT
SiN钝化
漏源饱和电流密度
电流
增益截止频率
T型栅
Keywords
A1GaN/GaN HEMT
SiN passivation
drain saturation current density
current gain cut-off fre-quency
T-shaped gate
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高电流密度Ga2O3 MOSFET器件的研制
田秀伟
马春雷
刘沛
韩婷婷
宋旭波
吕元杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
下载PDF
职称材料
2
大电流密度高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制(英文)
王丽
谭鑫
吕元杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部