电场耦合电能传输系统层叠式耦合机构漏电场抑制方法

随着电场耦合电能传输(ECPT)系统功率和传输距离的提高,系统耦合机构极板上的电压也会不断增大,给周围环境带来漏电场辐射问题。针对耦合机构漏电场抑制问题,文中提出了一种新型的层叠式耦合机构。在对新型层叠式耦合机构进行建模分析的基础上,以双侧LC补偿网络的ECPT系统为例,推导了极板电压的计算表达式。对耦合机构外侧极板电压的主要影响因素进行分析,提出了一种以抑制系统漏电场为目标并兼顾系统传输性能的系统参数设计方法。通过仿真,验证了所提出的耦合机构及参数设计方法对漏电场抑制的可行性和有效性。

辐射感生场氧漏电流对CMOS运算放大器特性的影响

介绍了不同版图结构制作的 CMOS运放电路的电离辐照实验结果 ,分析比较了在常规版图及采用了保护环措施后制作的运放电路辐照响应之间的差异。结果显示 ,常规版图制作的运放电路 ,由于存在不易消除的场氧漏电 ,其电路的辐射敏感性会明显增大。而加入保护环后 ,能明显消除这一不利影响 ,从而使电路的抗辐照特性得到改善。

提高地电观测线路抗漏电影响的有效途径

本文对漏电场进行了系统计算,给出漏电场的空间分布特征;对供电线与测量线间的漏电及其转化进行了理论分析,在此基础上讨论了提高地震台站观测线路抗漏电影响适合地震电法特点的较科学经济的布线原则和方法。荷泽地震台线路改造实例及某些实验结果证明了方法的可行性及其效果。

具有垂直漏极场板的GaN HEMT器件结构设计

设计并研究了一种带有由表面漏极场板和垂直漏极场板组成的复合漏极场板的GaN HEMT器件结构。表面漏极场板能在栅漏之间引出新的表面电场峰值从而进一步提高表面电场的分布,而垂直漏极场板通过在体内引入漏极侧纵向电场峰值也能提高栅漏间的表面电场分布,如再结合表面漏极场板就能在二维方向上实现对器件漏电极区域附近电场的调制作用。采用仿真软件Sentaurus TCAD进行仿真和优化,结果表明:在器件栅漏间距为6μm的条件下,通过添加长度为0.5μm的栅极场板、0.2μm的表面漏极场板和1.8μm的垂直漏极场板以及长度为1.7μm、厚度为0.1μm、距离栅电极为0.1μm、掺杂浓度为5×1017 cm-3的P型GaN埋层,器件的击穿电压最大值能达到1 531 V。