消除漏电保护死区的智能保护器设计

为消除漏电死区,减小漏电保护器的拒动作和误动作,介绍了漏电保护的原理,理论论述漏电死区的存在。提出漏电检测的有效方法:以连续的3个周期为处理单元,将对应时刻的漏电流值与前1周期对应时刻的缓变电流值相减,可以在每个周期内确定的时刻采样得到有效的信号值ΔI,然后将连续3个周期相对应时刻的ΔI值分别与突变电流和缓变电流的动作整定值进行比较判断并做出相应的处理。依照提出的检测方法,设计出了漏电保护的硬件电路原理框图和其软件流程图。经测试,该智能保护器可大大提高漏电保护的可靠性和有效性。

解决漏电保护的死区问题

本文阐述了脉冲动作式漏电保护的优缺点，重点理论分析了它存在动作死区的原因，将漏电流分为缓变电流和突变电流加以检测，并采用合理方案一逐值检测法来解决动作死区问题，提高了漏电保护的安全性和可靠性。

解决漏电保护的死区问题

本文阐述了脉冲动作式漏电保护的优缺点,重点分析了它存在动作死区的原因,将漏电流分为缓变电流和突变电流加以检测,并采用合理方案--逐值检测法来解决动作死区问题,提高了漏电保护的安全性和可靠性。

消除漏电保护死区的技术应用及试验方法略述

消除漏电保护死区能够完善对低压电的保护,是一项重要的电路保护技术。为了使该技术具备更高的应用价值,文章提出了消除漏电保护死区技术的应用方法,同时提出了相关的试验方法,以检验该技术是否适用于消除漏电保护死区。

一种高压直采ADC的抗总剂量辐照设计

由于γ射线对SiO_(2)的电离作用,会引起MOS管阈值电压负漂移和二极管死区漏电变化,负漂移和漏电变化程度随MOS管栅氧厚度增加而加大。这样在设计高压直采ADC时,实现稳定基准和低漏电开关是个难点,通常的解决方法是优化电路参数裕量和版图,但很少考虑MOS管的反型和二极管的死区漏电。重点研究了MOS器件阈值和二极管死区漏电流变化对器件参数影响的机理,并提出一种不同电源电压MOS管结合设计思路,同时考虑了减小二极管死区漏电的影响。最后,通过使用不同电源电压MOS管设计和二极管死区漏电流分析,高压ADC在50 k rad(Si)总剂量条件下仍能达到设计要求。

基于剩余电流变化量的智能保护器的研究与设计

随着国民经济的发展和电气化水平不断提高,电能已经成为世界各地不可或缺的重要能源。为了安全用电人们在电路中安装漏电保护器,但是由于漏电保护器所大多采用的是鉴幅鉴相式保护原理以及电网中本来就存在正常的漏电流,所以在发生漏电时并不能真正起到有效的保护,也就是说存在漏电流保护死区。鉴于此我们采取以剩余电流变化量法为研究基础和以微控芯片为主控单元。通过过压、欠压检测等方法实施漏电流的智能显示以及继电器的有效动作来保障用电的安全性和可靠性。