基于全定制IP设计的漏电流功耗仿真计算方法

提出了一种自顶向下的基于晶体管级的全定制 IP漏电流功耗计算方法 ,该方法计算快速高效 ,实用性强 ,取代了以往完全依靠软件仿真进行功耗计算的技术 .在设计龙芯 号 CPU中的全定制 IP时应用了此方法 ,该芯片采用的是中芯国际 0 .18μm CMOS工艺技术 .为了验证该方法 ,把计算结果与 Synopsys公司的 Nanosim仿真结果进行对比 ,误差只有 10 %左右 .由于软件仿真需要大量的测试激励与计算时间 ,而该方法不需要外加测试激励便可以计算出全定制 IP漏电流功耗 ,并能快速找到其模块所在位置 ,使设计周期大为缩短 。

组相联Cache中漏流功耗优化技术研究

随着集成电路制造工艺进入超深亚微米阶段,漏电流功耗在微处理器总功耗中所占的比例越来越大,在开发新的低漏流工艺和电路技术之外,如何在体系结构级控制和优化漏流功耗成为业界研究的热点.Cache在微处理器中面积最大,是进行漏流控制和优化的首要部件.本文提出了一种LRU-assist算法,利用既有的LRU信息,在保证处理器性能不受影响的前提下,cache的平均关闭率可达53%,大大降低了漏电流功耗.

超深亚微米CMOS工艺参数波动的测量电路

分析了超深亚微米工艺参数波动对电路的影响;采用“放大”的思路设计了简单的用于测量超深亚微米工艺门延迟、动态功耗、静态功耗及其波动的电路,并提出了一种用于测量门延迟波动特性曲线的新型电路,该电路采用较短的反相器链可以得到超深亚微米工艺下门延迟波动特性曲线.电路在90nmCMOS工艺下进行了流片制作,得到了90nmCMOS工艺下的单位门延迟波动特性曲线.测得延迟的波动范围为78.6%,动态功耗的波动范围为94.0%,漏电流功耗的波动范围为19.5倍,其中以漏电流功耗的波动性最为严重.

供电切换在多媒体手机基带芯片中的应用研究

在数字芯片的低功耗架构中,特别是在多媒体手持设备芯片的低功耗架构中,各个功能模块之间的供电切换技术是至关重要的低功耗设计技术。文中以基于90纳米工艺的GSM非智能多媒体手机基带芯片为例,从前段概念设计到后端物理实现具体讲述如何做好供电切换技术在超大规模集成电路中的应用,以及在设计中如何降低漏电流功耗和如何解决时钟树综合等技术难点的方法。