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功率器件漏电流的PEM定位和分析
被引量:
3
1
作者
吴顶和
方强
+1 位作者
邵雪峰
俞宏坤
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期308-312,316,共6页
光发射显微镜(PEM)系统是应用于微电子器件漏电流定位和分析的有效工具。利用PEM系统的激光光束诱导阻抗变化(OBIRCH)功能和光发射(EMMI)功能,从正面可直接对功率器件大的漏电流进行定位观察。利用PEM的EMMI功能,还可从背面对器件微弱...
光发射显微镜(PEM)系统是应用于微电子器件漏电流定位和分析的有效工具。利用PEM系统的激光光束诱导阻抗变化(OBIRCH)功能和光发射(EMMI)功能,从正面可直接对功率器件大的漏电流进行定位观察。利用PEM的EMMI功能,还可从背面对器件微弱的漏电流进行定位和分析。介绍了PEM系统对功率器件芯片不同量级的漏电流进行定位与分析的应用,为分析功率器件漏电流失效提供依据。
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关键词
光发射显微镜
功率器件
漏电流定位
失效分析
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职称材料
题名
功率器件漏电流的PEM定位和分析
被引量:
3
1
作者
吴顶和
方强
邵雪峰
俞宏坤
机构
复旦大学材料科学系
快捷半导体(苏州)有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期308-312,316,共6页
文摘
光发射显微镜(PEM)系统是应用于微电子器件漏电流定位和分析的有效工具。利用PEM系统的激光光束诱导阻抗变化(OBIRCH)功能和光发射(EMMI)功能,从正面可直接对功率器件大的漏电流进行定位观察。利用PEM的EMMI功能,还可从背面对器件微弱的漏电流进行定位和分析。介绍了PEM系统对功率器件芯片不同量级的漏电流进行定位与分析的应用,为分析功率器件漏电流失效提供依据。
关键词
光发射显微镜
功率器件
漏电流定位
失效分析
Keywords
PEM
power device
leakage localization
failure analysis
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN307 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
操作
1
功率器件漏电流的PEM定位和分析
吴顶和
方强
邵雪峰
俞宏坤
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
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