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应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性研究 被引量：1
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作者 刘红侠 郝跃 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1769-1773,共5页
分别研究了FN隧穿应力和热空穴 (HH)应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性 .在这两种应力条件下 ,应力导致的漏电流 (SILC)与时间的关系均服从幂函数关系 ,但是二者的幂指数不同 .热空穴应力导致的漏电流中 ,幂指数明显偏离 - 1,热空穴... 分别研究了FN隧穿应力和热空穴 (HH)应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性 .在这两种应力条件下 ,应力导致的漏电流 (SILC)与时间的关系均服从幂函数关系 ,但是二者的幂指数不同 .热空穴应力导致的漏电流中 ,幂指数明显偏离 - 1,热空穴应力导致的漏电流具有更加显著的瞬态特性 .研究结果表明 :热空穴SILC机制是由于氧化层空穴的退陷阱效应和正电荷辅助遂穿中心的湮没 .利用热电子注入技术 ,正电荷辅助隧穿电流可被大大地减弱 . 展开更多
关键词 薄栅氧化层 应力导致的漏电流 SILC FN隧穿 热空穴应力 漏电流瞬态特性 幂函数 热电子注入 MOS器件 量子电动力学
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