表面态密度分布和源漏电阻对6H-SiC PMOS器件特性的影响

建立了一个价带附近的界面态密度分布模型 ,并用该模型较好地模拟了 6 H- Si C PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C- V特性以及转移特性 .理论 C- V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的 ,在解泊松方程的过程中考虑了场致离化效应 .由于 Si C PMOS器件的源漏电阻比较大 ,因此 ,在计算强反型情况下的漏电流时 ,同时考虑了源漏电阻的影响 .结果表明 。

模拟积分器性能的实验分析及泄漏电阻的测量

长时间低零漂积分器在托卡马克装置中具有重要应用价值。本文就温度、湿度对模拟积分器运放的影响情况进行测量分析,总结了运放随温度、湿度的变化规律,这对设计研制高性能积分器具有较好的指导作用。积分器产生漂移的另一个重要方面是积分电容存在泄漏电阻,本文给出了测量积分电容等效泄漏电阻的方法,并给出了电容随电压的近似函数表达式。

部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺P+源漏电阻实验设计

文章对部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺源漏电阻产生影响的四个主要因素采用二水平全因子实验设计[1],分析结果表明在注入能量、剂量、束流和硅膜厚度因素中,硅膜厚度显著影响P+源漏电阻,当顶层硅膜厚度充分时,P+源漏电阻工艺窗口大。实验指出注入能量未处于合理的范围,导致源漏电阻工艺窗口不足,影响0.8μm SOI工艺成品率。通过实验优化后部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺P+源漏电阻达到小于200Ω/□,工艺能力显著提高到Ppk>2.01水平,充分满足部分耗尽0.8μm SOICMOS工艺P+源漏电阻需求。

漏电阻呈现正温度特性的三极管检修奇遇

笔者检修一台海信TC2518H彩电开关电源时，竞遭遇一只漏电阻呈正温度特性的三极管，检修过程颇费周折。

检测中漏电阻产生误差的解决方法

分析了自动检测中绝缘电阻检测由于系统漏电阻导致的巨大误差产生的原因,提出数字(计算机)及模拟解决这个问题的两种有效方法,有效地解决了以往自动检测线存在的问题.

考虑源漏串联电阻时6H-SiC PMOSFET解析模型

在考虑源漏串联电阻的基础上 ,建立了一组适用于 Si C PMOSFET的解析模型 .

14 nm工艺3D FinFET器件源漏寄生电阻提取与建模

随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管（FinFET）源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要。根据FinFET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分：由凸起源漏与接触孔所引入的寄生电阻（R_（con））、狭窄鳍到宽源漏区的过渡区寄生电阻（R_（sp））以及源漏与沟道之间的寄生电阻（R_（ext））。考虑电流拥挤效应、电流展宽和栅压控制效应,分别采用平均电流长度法和微元积分法等对R_（con）,R_（sp）和R_（ext）进行建模。最后,将所建模型与TCAD仿真进行对比验证,结果表明所建模型可准确反映源漏寄生电阻的变化,其中过渡区寄生电阻的相对误差小于1%。

一种提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的恒定迁移率方法

源/漏寄生电阻作为器件总电阻的一个重要组成部分,严重制约着纳米CMOS器件性能.随着纳米CMOS器件尺寸不断减小,源/漏寄生电阻占器件总电阻比例越来越高,已经成为衡量CMOS器件可靠性的一个重要参数.本文提出一种恒定沟道迁移率条件下提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的方法.本方法通过测量固定偏压条件下一个器件的两条线性区I_d-V_(gs)曲线之比,推导出纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻,操作简单,精确度高,避免了推导过程中由沟道迁移率退化引入与器件栅长相关的误差.我们详细研究并选取合适外加偏压条件,保持推导过程中沟道迁移率恒定,确保源/漏寄生电阻值的稳定性.在固定外加偏压条件下,我们提取了45 nm CMOS工艺节点下不同栅长器件的源/漏寄生电阻值,结果表明源/漏寄生电阻值与栅长不存在直接的依赖关系.最后,我们研究了工艺过程和计算过程引入的波动并进行了必要的误差分析.

短沟道MOSFET源漏寄生电阻的二维半解析模型

根据金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的工作原理,在MOSFET的源/漏区域引入了矩形等效源,提出了源/漏电阻的二维定解问题。通过用分离变量法、傅里叶展开和积分方程相结合建立MOSFET源/漏电阻的二维半解析模型,得到了源/漏电阻与几何尺寸之间的关系。该模型避免了数值分析时的方程的离散化,且具有较高的精度。计算和仿真结果表明,模型计算出的源/漏电阻阻值接近于Silvaco的仿真值。

MOSFET漏源寄生电阻及有效沟道长度的萃取方法

提出一个精确萃取MOSFET漏源寄生电阻及有效沟道长度等参数的方法.这些参数的确定对于器件特性的模拟、分析以及对于生产工艺的监控具有实际意义.该方法采用一组特定的测试器件并使用计算机程序辅助来进行参数的萃取.使用萃取到的参数计算器件的漏电流特性并将其与实测数据进行比较,结果表明两者相符很好.

纳米CMOS器件中源/漏串联电阻栅长相关性研究

本文利用恒定迁移率、直接Id-Vgs和Y函数三种方法对纳米CMOS器件中提取的源/漏串联电阻(Rsd)与器件栅长(L)相关性进行了研究。结果表明,采用恒迁移率方法得到的Rsd具有与栅长无关的特性,纳米小尺寸CMOS器件的Rsd值在14.3Ω~10.9Ω之间。直接Id-Vgs和Y函数方法都得到了与L相关的Rsd值,误差分析发现从直接Id-Vgs和Y函数两种方法中提取的Rsd对L依赖性与提取过程中的栅极电压导致有效沟道迁移率(μeff)降低有关,推导过程中忽略了这种影响,Rsd值叠加了一个与栅长相关的量。本文计算了这个叠加的误差值,并得到消除此误差值之后各个栅长器件的Rsd值。

基于方波脉冲电压绝缘寿命实验的漏电流检测

在脉冲电应力绝缘加速老化实验中,为消除试样电容过渡过程电流对绝缘材料和结构绝缘失效判定的影响,提高实验结果的准确性和可靠性,设计一种漏电流检测电路。在双极性高频脉冲电压下电容过渡过程电流主要集中在脉冲边沿5μs以内,12μs后过渡过程基本结束,此后试样回路电流主要是绝缘漏电流;利用此特性,通过控制电路控制电子开关,在每个脉冲边沿切除电容过渡电流而代以前一时刻的漏电流保持值,而12μs后再切换回电流检测信号。理论分析和实验结果表明,该漏电流检测方法可以有效的消除试样等效电容过渡过程电流对漏电流检测的影响,其相对偏差率小于3.03%,可以较好的满足脉冲电应力绝缘寿命加速老化实验的要求,且提高实验结果的可靠性。

VMOSFET漏—源导通电阻的检测

VMOSFET,全称为垂直导电型金属氧化物半导体场效应管,是一种广泛应用于开关电源、马达控制、开关型变换器和削波器等电路中的电子元件,它具有功耗小、温度稳定性高、输入阻抗大等许多优点。VMOSFET元件的主要技术参数有漏—源导通电阻(又称通态电阻)R_(DS(ON))、漏—源击穿电压U_((BR)DSS)、漏极直流电流I_D等。本文介绍一种业余条件下漏—源导通电阻的检测方法,当在削波器中使用VMOSFET元件时,该参数对于电路设计具有重要的意义。 本方法需要元件少,操作方便,结论可靠。具体检测电路如附图所示。图中元件选择如下:R_1。

开关漏电对冲击法测电容的影响及其改进

本文介绍了用冲击电流计测电容时，开关漏电对测量的影响及改进方法。最后简要指出用比较法测量一个量值与标准电容相差较大的电容时，产生系统误差的原因。

在冲击法测电容中电容器漏电引起的系统误差及其修正

讨论了冲击电流计测电容时电容器漏电引入系统误差的途径及修正方法，提出了进一步减小误差的措施。

砂轮机绝缘电阻微机查表测试法及其装置

介绍一种新颖、实用的砂轮机绝缘电阻出厂测试方法及其装置,该测试方法及装置能解决漏电阻对测试精度影响大的问题,满足生产检测的需要。同时,还介绍软件框图及硬件的基本组成。

变压器漏感参数的计算

由于变压器内部磁路本身的特点和励磁涌流波形受多种因素的影响,使得变压器差动保护存在多种误动的可能。功率差动原理、磁通特性识别法、等值电路参数鉴别法及基于变压器的回路方程法等摆脱了励磁涌流及过励磁的影响,实现了与差动保护不同的保护思路,但都要求预知原副边绕组电阻和漏感参数。绕组电阻可以通过测量得到,关于漏感尚无精确的求取方法。鉴于此种情况,本文提出了一种参数辨识方法,通过测量稳态瞬时电压和电流,利用最小二乘法能够快速准确辨识出原副边绕组漏感,为新型保护原理的推广奠定了基础。并且讨论了不同采样频率和截止频率下辨识结果的误差。通过电磁暂态仿真程序EMTP仿真和实际的变压器试验,验证了该算法的正确性,误差很小,具有极好的应用价值。

纳米MOSFET寄生电阻模型分析

随着器件尺寸的缩小，寄生电阻对器件性能的影响不可忽视，为准确预测器件的寄生电阻并了解器件参数对寄生电阻的影响，需要有准确的寄生电阻模型。该文分析了短沟道寄生电阻模型．研究了短沟道寄生电阻模型在栅压较小时与模拟结果存在较大误差的原因，并对模型进行了改进。最后分析了器件参数对寄生电阻的影响，提出未来减小寄生电阻需要和可能采取的措施。

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型

基于电荷控制理论 ,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 ,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I V特性和小信号参数的解析模型 .计算表明 ,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著 ,2V栅压下 ,栅长为 1μm的Al0 .2 Ga0 .8N/GaNHEMT获得的最大漏电流为 1370mA/mm ;降低寄生源漏电阻可以获得更高的饱和电流、跨导和截至频率 .模拟结果同已有的测试结果较为吻合 ,该模型具有物理概念明确且算法简单的优点 ,适于微波器件结构和电路设计 .