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InP基HEMTs器件16参数小信号模型(英文)
被引量:
1
1
作者
钟英辉
李凯凯
+5 位作者
李梦珂
王文斌
孙树祥
李慧龙
丁鹏
金智
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期163-167,共5页
针对InAlAs/InGaAsInP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R_(gs))表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τ_(ds))描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C_(ds))引起...
针对InAlAs/InGaAsInP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R_(gs))表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τ_(ds))描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C_(ds))引起的相位变化,从而提高了S_(22)参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,R_(gs)和τ_(ds)的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.
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关键词
InP基高电子迁移率晶体管
小信号模型
栅泄
漏
电流
漏端延时
下载PDF
职称材料
题名
InP基HEMTs器件16参数小信号模型(英文)
被引量:
1
1
作者
钟英辉
李凯凯
李梦珂
王文斌
孙树祥
李慧龙
丁鹏
金智
机构
郑州大学物理工程学院
中国科学院微电子研究所
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期163-167,共5页
基金
Supported by National Natural Science Foundation of China(11775191,61404115,61434006)
Development Fund for Outstanding Young Teachers in Zhengzhou University China(1521317004)
文摘
针对InAlAs/InGaAsInP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R_(gs))表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τ_(ds))描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C_(ds))引起的相位变化,从而提高了S_(22)参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,R_(gs)和τ_(ds)的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.
关键词
InP基高电子迁移率晶体管
小信号模型
栅泄
漏
电流
漏端延时
Keywords
InP-based HEMTs
small-signal model
gate-leakage current
drain delay
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InP基HEMTs器件16参数小信号模型(英文)
钟英辉
李凯凯
李梦珂
王文斌
孙树祥
李慧龙
丁鹏
金智
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
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