1
|
区熔硅单晶中的漩涡缺陷及其影响因素 |
邢友翠
闫萍
刘玉岭
李万策
|
《电子工业专用设备》
|
2018 |
0 |
|
2
|
直拉硅单晶中微缺陷漩涡浅见 |
丁浩
|
《四川有色金属》
|
1998 |
0 |
|
3
|
直拉硅单晶中微缺陷的特征及演变 |
佟丽英
高丹
|
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
|
2016 |
1
|
|
4
|
直拉单晶硅片“黑心”现象性质分析 |
陈文浩
凌继贝
周浪
|
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2015 |
0 |
|
5
|
大直径p型探测器级硅单晶的研制 |
孙华英
陈勇刚
周旗钢
任晓东
谭伟时
孙德林
|
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
1995 |
0 |
|
6
|
直径52~65mm探测器级Si单晶的真空制备 |
蒋娜
万金平
|
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2013 |
0 |
|