氧化钪(Sc_(2)O_(3))的热漫散射强度解析

热漫散射分析在凝聚态物理和材料科学研究中具有巨大潜力与实用性.氧化钪(Sc_(2)O_(3))独特的物理化学性质,使其具有较高的研究和应用价值.在室温26℃下对Sc_(2)O_(3)进行了X射线衍射实验.其热漫散射强度呈明显的振动形状,将Sc_(2)O_(3)的全衍射背底强度方程展开,并计算热漫散射强度的理论值,直至计算到第14近邻原子(r为0.3816 nm)全衍射背底强度图谱.将理论值与实验值拟合,得到了最近邻原子至第7近邻原子所对应的原子间热振动相关效应值μ,最近邻原子到第7近邻原子距离r的值分别为0.2067,0.2148,0.2161,0.2671,0.2945,0.3229和0.3265 nm,所对应的原子间热振动相关效应值μ分别为0.64,0.63,0.62,0.61,0.60,0.58和0.57.研究发现Sc_(2)O_(3)热漫散射强度大小与原子的热振动密切相关,对热漫散射强度振动形状影响最大的是第7近邻原子Sc_(1)-Sc_(2)间的热振动相关效应μ,原子间热振动相关效应值μ对研究材料的力热性质提供很重要的参数,为下一步计算比热和原子间力常数打下基础,其对于材料的力热方面的用途与发展有着至关重要的作用.

漫散射光自相关用于生物介质成象的实验研究

本文用背散射光时间自相关函数研究了随机介质中隐一生物组织时的成象 ,由相关时间τc确定出隐含物体的位置 .还研究了生物组织在随机介质内不同深度时自相关函数的性质 .

钛合金β相向ω相转变产生的漫散射条纹特征

利用透射电子显微镜研究了钛合金β相的选区电子衍射花样中漫散射条纹特征。花样中的漫散射条纹互相交叉形成网格,对于大多晶带轴,几段条纹互相平行,但不在一条直线上。漫散射条纹位于{112}β面上,在晶带轴为[uvw]β时,条纹方向为[uvw]β×{112}β。解释了漫散射条纹不在一条直线上的原因。漫散射条纹的出现与{112}β面上的声子模软化有关。

TiNi合金B2相选区电子衍射花样中的漫散射条纹

用高压透射电镜研究了Ti-54wt%Ni形状记忆合金B2相的选区电子衍射花样中的漫散射条纹。动态加热观察表明漫散射条纹与B2相的晶格的不稳定性有关。倾斜样品观察表明漫散射条纹来自穿过基本倒易阵点的倒易壁。对不同晶带轴的衍射花样中的漫散射条纹的分析表明,花样中的漫散射条纹通常有三个方向,条纹互相交叉形成网络,每根条纹都由几段组成。提出漫散射条纹是由穿过基本倒易阵点且位于{112}倒易平面上的尺度有限的倒易壁形成的。用波矢位于{112}倒易平面上的横向声学声子波对电子的散射,讨论了倒易壁的形成和分布以及花样中的漫散射条纹的长度。

热漫散射在聚合物中的应用

从热漫散射可以获得与聚合物材料中无序结构和热运动有关的电子密度涨落、纵声子群速和等温压缩率等参数.本文介绍和评述了热漫散射的理论及其应用.

Bi_2Sr_2CaCu_2O_y单晶与调制结构相关的漫散射特征研究

对无交生、孪晶且具有极小镶嵌效应的Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ（Ｂｉ２２１２）单晶样品，用Ｘ射线衍射细致研究了ｂｃ倒易平面内的００ｌ（ｌ从２到３６）和０ｋ０（ｋ从０到６）主斑点及其周围与调制结构相关的倒易斑点分布。

漫散射平面全息图探讨

利用信息光学理论，对漫散射平面全息图的成像位置、放大倍数、实像的观察条件等问题进行了深入探讨。

四叶草形超宽带漫散射编码超表面

该文提出了一种结构新颖的四叶草形编码超表面,并利用该超表面实现了超宽带漫散射。所提出的编码超表面具有旋转对称性,它对x极化和y极化波产生相似的反射特性。为了实现1比特编码超表面,该文设计了在15.5~40.5 GHz的频率范围内且相位差为180°±37°的两个超表面单元。采用优化算法得到阵列中单元的最佳排列,从而实现了宽带RCS的缩减。四叶草形编码超表面可以在15.5~26.5 GHz和30.5~40.5 GHz这两个频带内实现10 dB的RCS缩减。该文加工了该编码超表面并与仿真结果进行了比较,从而有效验证了所设计的四叶草形编码超表面可以在宽频带内实现RCS的缩减。

红外漫散射技术用于芹菜素与环糊精包合物的研究

利用红外漫散射技术研究了溶液法和研磨法所制备的芹菜素与羟丙基-β-环糊精包合物的红外光谱。结果显示:1 610cm_(C=C)^(-1)/1 653cm_(C=O)^(-1)谱峰强度的比值和芹菜素与环糊精的包合程度有关,比值小则包合的好。同时,1 590~1 550和1 300~1 200cm^(-1)区域的谱峰变化也可判断芹菜素的包合程度。

MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究(英文)

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.

中子辐照GaAs的X射线漫散射研究

用X射线漫散射研究了中子辐照GaAs中的缺陷．结果表明：中子辐照产生点缺陷团．辐照剂量为1019m－2和1021m－2时，缺陷团的平均半径分别为387nm和455nm．这可能是高剂量辐照下损伤区域交叠的结果．平均半径随退火温度的升高而减小是间隙原子与空位复合造成的．

黄昆X射线漫散射的实验研究

本文描述了黄昆X射线漫散射的实验方法及其所需的实验条件,并利用它研究了离子注入CaAs中点缺陷所引起的黄昆散射,在同一GaAs晶片上的不同部分分别注入Mo和Er,浓度均为1×10^(15)cm^(-2),注入电压为500keV,经850℃退火30分钟后分别在77K的条件下进行黄昆散射测量,实验观测到注入Er元素比Mo元素引起的黄昆散射要强,这一结果表明Er元素在GaAs中大多处于间隙状态,而Mo元素在GaAs中大多处于替换状态.

漫散射薄膜在西南地区设施内的应用效果分析

随着农用薄膜功能化、高端化的发展,农膜产品的科技含量得到大幅提升,市场上由此出现了很多功能薄膜,如流滴消雾膜、漫散射膜、转光膜等。其中,漫散射膜由于其突出的功能效果,受到了广大用户的喜爱。漫散射薄膜,也叫散光膜,是通过选用特定的树脂牌号或在通用的农用树脂中添加散光助剂的工艺技术,使透过薄膜进入设施的阳光由直射光转变为散射光,从而使设施内光照的水平和垂直分布的均匀度大幅度提高,减少直射光的比例,改善植物光照条件。

BEPC漫散射实验站控制和数据获取系统

ＢＥＰＣ漫散射实验站是一个Ｘ光衍射装置，本文对其准直系统和数据获取软件进行了简要的叙述，这套装置中的准直平台和步进电机控制驱动系统已经形成列化产品。

北京同步辐射装置X射线漫散射实验站及准周期非晶多层膜的X射线非镜面散射研究

讨论了北京同步辐射装置的４Ｗ１Ｃ光束线和Ｘ射线漫散射实验站的技术特点．利用在漫散射实验站上获得的能量分辨率为４．４×１０－４、光斑大小为０．５ｍｍ（水平）×０．３ｍｍ（垂直）的聚焦单色Ｘ射线光束，研究了准周期非晶多层膜的Ｘ射线漫散射──非镜面散射．实验结果表明，准周期多层膜的漫散射强度分布在倒空间中与表面平行的条纹上并形成散射强度的调制．对散射强度调制进行的模拟计算得到相当满意的结果．

超声调制介质中漫散射光自相关性质研究

研究了超声调制随机介质中漫散射光自相关性质 ,推导出均匀无限介质中有超声场调制时漫散射光时间自相关函数的表达式 ,讨论了调制参数、调制幅度及其衰减与超声参数、光散射参数等的关系 .用MonteCarlo方法研究了随机介质中隐含异物成像的可行性 .结果表明 ,正常生物组织和病变生物组织的超声调制自相关函数有明显的差别 。

混浊介质中后向单次漫散射米勒矩阵特征

采用斯托克斯(Stokes)矢量形式,推导出当无限窄的连续光束垂直入射到混浊介质表面时,后向单次漫散射米勒(Mueller)矩阵的解析表达式。基于米氏(Mie)散射模式,详细分析了单次散射米勒矩阵元素的分布模式,以及与介质粒子数密度,粒子尺寸参量之间的关系。研究表明:单次散射米勒矩阵的方位变化随粒子数密度的增加,逐渐消失,而矩阵元素m22,m33,m23,m32随粒子数密度的变化,具有更显著的方位变化特征。矩阵元素m22,m33在方位角=45°时的值随尺寸参量的变化有一定的规律性,当尺寸参量小于某一特征参量时,其值呈下降趋势,反之则呈波动上升趋势。当介质粒子数密度以及粒子尺寸参量改变时,米勒矩阵元素强度的径向分布模式不变,即在任何方位,强度随径向距离都近似成指数规律衰减,方位变化呈周期性。

热漫散射贡献的高能电子衍射吸收结构因子的Doyle-Turner解析表述

给出了一种数值计算高能电子衍射吸收结构因子的方法,并利用模拟退火结合保温相变以及线性最小二乘拟合等算法,对所计算出的吸收结构因子数值进行了含10个参数的Doyle-Turner解析表述的拟合,作为示例,给出Be,Al As,Ag,Au等5个元素的拟合结果和精度。