电路老化中考虑路径相关性的关键门识别方法

65nm及以下工艺,负偏置温度不稳定性(NBTI)是限制电路生命周期,导致电路老化甚至失效的最主要因素。本文提出了基于NBTI的时序分析框架,在确定电路中老化敏感的潜在关键路径集合的基础上,通过考虑路径相关性确定老化敏感的关键门。本方法简单易行,在65nm工艺下对ISCAS基准电路的实验结果表明:在保障电路经10年NBTI效应仍满足相同的时序要求的前提下,本方法较同类方法能更加准确得定位关键门,且关键门的数量较少,从而可减少抗老化设计的成本。