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潮湿扩散及湿热应力对叠层封装件可靠性影响
被引量:
6
1
作者
叶安林
秦连城
康雪晶
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期69-73,共5页
利用MARC软件,通过模拟实验分析了潮湿扩散及湿热应力对叠层封装器件可靠性的影响,对30℃,RH60%,192h条件下预置吸潮到后面的无铅回流焊解吸潮过程进行了有限元仿真;对85℃,RH85%,168h条件下元件内不同界面的潮湿扩散进行分析...
利用MARC软件,通过模拟实验分析了潮湿扩散及湿热应力对叠层封装器件可靠性的影响,对30℃,RH60%,192h条件下预置吸潮到后面的无铅回流焊解吸潮过程进行了有限元仿真;对85℃,RH85%,168h条件下元件内不同界面的潮湿扩散进行分析,得出潮湿扩散对界面的影响规律。使用一种湿热耦合方法计算湿热合成应力并与单纯热应力进行了对比。结果表明:最大湿热应力和热应力一样总是出现在项部芯片与隔离片相交的区域,其数值是单纯热应力数值的1.3-1.5倍。
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关键词
电子技术
叠层芯片封装器件
湿热应力
潮湿扩散
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职称材料
带浅沟道绝缘的0.23μmDRAM技术中介内层的潮湿扩散引起的CMOSFET特性
2
《电子产品可靠性与环境试验》
2002年第4期61-62,共2页
关键词
存储器
沟道凸起效应
潮湿扩散
CMOSFET特性
DRAM
下载PDF
职称材料
热–机械应力和湿气引起QFN器件层间开裂分析
被引量:
6
3
作者
罗海萍
杨道国
李宇君
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期64-66,70,共4页
采用通用有限元软件分析和计算器件在潮湿环境下的潮湿扩散,并计算由于吸潮使器件在无铅回流的高温下产生蒸汽压力,并对层间开裂现象进行分析。结果表明,气压是层间开裂的主要原因,在气压和热机械应力的作用下,层合面上的微孔洞扩张并...
采用通用有限元软件分析和计算器件在潮湿环境下的潮湿扩散,并计算由于吸潮使器件在无铅回流的高温下产生蒸汽压力,并对层间开裂现象进行分析。结果表明,气压是层间开裂的主要原因,在气压和热机械应力的作用下,层合面上的微孔洞扩张并结合起来,导致器件最后失效。
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关键词
电子技术
QFN封装
潮湿扩散
无铅焊
气压
层间开裂
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职称材料
题名
潮湿扩散及湿热应力对叠层封装件可靠性影响
被引量:
6
1
作者
叶安林
秦连城
康雪晶
机构
桂林电子科技大学机电工程学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期69-73,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60666002)
文摘
利用MARC软件,通过模拟实验分析了潮湿扩散及湿热应力对叠层封装器件可靠性的影响,对30℃,RH60%,192h条件下预置吸潮到后面的无铅回流焊解吸潮过程进行了有限元仿真;对85℃,RH85%,168h条件下元件内不同界面的潮湿扩散进行分析,得出潮湿扩散对界面的影响规律。使用一种湿热耦合方法计算湿热合成应力并与单纯热应力进行了对比。结果表明:最大湿热应力和热应力一样总是出现在项部芯片与隔离片相交的区域,其数值是单纯热应力数值的1.3-1.5倍。
关键词
电子技术
叠层芯片封装器件
湿热应力
潮湿扩散
Keywords
electron technology
SCSP
hygrothermal stress
moisture diffusion
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
带浅沟道绝缘的0.23μmDRAM技术中介内层的潮湿扩散引起的CMOSFET特性
2
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2002年第4期61-62,共2页
关键词
存储器
沟道凸起效应
潮湿扩散
CMOSFET特性
DRAM
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
热–机械应力和湿气引起QFN器件层间开裂分析
被引量:
6
3
作者
罗海萍
杨道国
李宇君
机构
桂林电子工业学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期64-66,70,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60166001)
文摘
采用通用有限元软件分析和计算器件在潮湿环境下的潮湿扩散,并计算由于吸潮使器件在无铅回流的高温下产生蒸汽压力,并对层间开裂现象进行分析。结果表明,气压是层间开裂的主要原因,在气压和热机械应力的作用下,层合面上的微孔洞扩张并结合起来,导致器件最后失效。
关键词
电子技术
QFN封装
潮湿扩散
无铅焊
气压
层间开裂
Keywords
electronic technology
QFN packages
moisture diffusion
lead-free reflow
vapor stress
delamination
分类号
TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
潮湿扩散及湿热应力对叠层封装件可靠性影响
叶安林
秦连城
康雪晶
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2008
6
下载PDF
职称材料
2
带浅沟道绝缘的0.23μmDRAM技术中介内层的潮湿扩散引起的CMOSFET特性
《电子产品可靠性与环境试验》
2002
0
下载PDF
职称材料
3
热–机械应力和湿气引起QFN器件层间开裂分析
罗海萍
杨道国
李宇君
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2006
6
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职称材料
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