激光二极管线阵光束变换研究

推导出激光二极管线阵光束通过透镜系统的光强分布表达式 ,分析了出射光束的传输特性 ,设计一种凹柱透镜的光束变换系统得到一维均匀光强分布。此外 。

激光二极管线阵侧面泵浦固体激光器输出光场研究

对于激光二极管线阵侧面泵浦的固体激光器,通过数值求解四能级系统速率方程,建立了侧面泵浦Nd∶YAG激光器的计算模型,分析了侧面泵浦时泵浦参数对光束质量的影响,其光束质量因子随激光二极管线阵与晶体棒之间距离的增加而增加,随晶体棒半径的增加而增加.

高功率激光二极管线阵光纤耦合模块的研制

根据激光二极管线阵的光束特性,采用双曲面微透镜列阵对其进行准直和聚焦,实现了其与多模光纤列阵的耦合,并获得了76%的耦合效率和20W的连续光纤输出功率.

二极管激光线阵光束的远场特性

利用X-Y函数记录仪测试了双异质结连续60 W,1×19激光二极管线阵(LDB)发射光束的空间光强分布和时间稳定性,被测样品的型号为JOLD-60-CPNN-1L。实验结果表明:组成DLB的19个二极管发射的光束基本上是独立传输的,DLB光束远场光强分布由19个子束非相干叠加而成,并且不随时间变化,发光区间距不相等。以实验为依据,对理论模型做了改进。将低注入电流的实验与用改进的理论模型的计算结果做了比较,二者符合甚好。

大功率线阵激光二极管侧面抽运Nd∶YAG激光器特性研究

对激光二极管(LD)抽运固体激光器中大功率线阵激光二极管三向对称侧面抽运的漫反射腔结构进行了研究。激光器使用Nd∶YAG作为激光晶体,电光器件材料为KD*P晶体,漫反射体为陶瓷材料。实验表明,抽运光的利用率和均匀性有较大提高。在重复频率为10 Hz下,实现了脉冲宽度8 ns,最大平均功率为近2 W的1064 nm红外激光输出,激光器的效率有显著提高。

半导体激光器

TN248.4 2003042527红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析=Characteristicsof AlGaInP red laser diode and its thermal property analysis[刊,中]/郭伟玲(北京工业大学电子信息与控制工程学院.北京(100022)),廉鹏…∥北京工业大学学报.-2002,28(4).-423-425设计和制备了λ=680 nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器。制得的未镀膜20 μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100 mW,斜率效率0.56 W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°。未镀膜4 μm深腐蚀器件的功率可达10 mW,斜率效率为0.4 W/A,峰值波长为681 nm,峰值半宽为0.5 nm。对不同腔长的器件进行了变温测试,得到器件的特征温度为120～190 K。图5参6(李士范)

半导体激光器

TN248.4 2002010200大功率激光二极管的微片棱镜堆光束整形和光纤耦合输出=Micro - prism stack beam shapers for highpower laser diode arrays[刊,中]/石鹏,李小莉,张贵芬,郭明秀,陆雨田(中科院上海光机所,上海(201800))∥光学学报.—2000,20(11).

Fiber Coupling of Laser Diode Bar to M ultimode Fiber Array

A piece of multimode optical fiber with a low num er ical aperture (NA) is used as an inexpensive microlens to collimate the output r adiation of a laser diode bar in the high numerical aperture (NA) direction.The emissions of the laser diode bar are coupled into multimode fiber array.The radi ation from individual ones of emitter regions is optically coupled into individu al ones of fiber array.Total coupling efficiency and fiber output power are 75% and 15W,respectively.

半导体激光器、集成光学激光器

0103628高占空比、高功率线阵二极管激光器封装技术[刊]/唐淳//强激光与粒子束.—2000,12(5).—544～546(L) 0103629915-980nm 应变量子阱激光器新进展[刊]/徐遵图//功能材料与器件学报.—2000,6(3).—293～296(K)报道了915～980nm 半导体激光器的最新进展,宽条激光器输出功率为0.2～2.0W,最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达400mW,水平和垂直方向远场发射角分别为7°和23°,组合件输出功率大于150mW。