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PI衬底n-i-p结构非晶硅薄膜太阳能电池的制备 被引量:2
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作者 李旺 刘石勇 +4 位作者 刘路 王仕鹏 黄海燕 牛新伟 陆川 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期2350-2353,2358,共5页
利用传统硅薄膜太阳能电池生产设备、以硬质玻璃为载板,在低透光率的聚酰亚胺(PI)衬底上制备了n-i-p结构的单结非晶硅(a-Si)薄膜太阳能电池组件,并通过掩膜绝缘和激光划分绝缘组合的方式在同一块PI衬底上实现了多节电池串联一体的结构... 利用传统硅薄膜太阳能电池生产设备、以硬质玻璃为载板,在低透光率的聚酰亚胺(PI)衬底上制备了n-i-p结构的单结非晶硅(a-Si)薄膜太阳能电池组件,并通过掩膜绝缘和激光划分绝缘组合的方式在同一块PI衬底上实现了多节电池串联一体的结构。封装后电池组件的有效发电面积的转化效率达到5.13%,电池的转化效率还存在较大的提升空间。 展开更多
关键词 聚酰亚胺 n-i-p结构 激光划分绝缘 掩盖分割 非晶硅薄膜 太阳能电池
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