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题名一个非晶硅薄膜太阳能电池制备用激光刻线系统
被引量:3
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作者
肖光辉
覃海
蓝劾
叶健
杨明生
潘龙法
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机构
东莞宏威数码机械有限公司研发中心
清华大学机械工程学院精密仪器与机械学系光盘国家工程研究中心
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出处
《应用光学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期1016-1021,共6页
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基金
广东省重点产业技术创新共建项目(200872206)
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文摘
非晶硅薄膜太阳能电池制备过程中的激光刻线工艺要求刻线宽度在30μm~50μm之间,死区范围小于300μm,刻线深度符合工艺要求。这不仅要求激光器具有较高的光束质量,而且要求光学系统具有较高的成像质量和较宽的焦深。设计了单激光器四分光路的激光刻线系统。采用设计的激光刻线装置,在1 400mm×1 100mm×3.2mm玻璃基板上进行刻线试验,分别得到刻线P1,P2,P3的线宽为35μm,50μm和45μm,死区范围(P1至P3的距离)为287μm,最终深度分别为0.98μm,0.24μm和0.58μm,刻线宽度和深度均符合薄膜太阳能电池制备工艺要求。
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关键词
激光刻线系统
非晶硅薄膜太阳能电池
刻线
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Keywords
laser scribing system
a-Si thin film solar cell
scribing line
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分类号
TN249
[电子电信—物理电子学]
TM914.4
[电气工程—电力电子与电力传动]
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