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激光功率谱检测砂轮形貌的试验研究 被引量:1
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作者 杨勇生 王勇 李汉中 《磨料磨具与磨削》 1993年第6期8-11,共4页
本文应用激光功率谱在线检测砂轮磨损装置,研究磨削条件对砂轮磨损的影响,以及对磨削过程进行在线监测。试验结果表明,本检测装置可获得砂轮工作面一周形貌的特征参数及曲线,由此可定量地评价砂轮的磨削性能,科学地标定砂轮耐用度。
关键词 激光功率谱 在线检测 砂轮 形貌
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DWGW—JG1型激光功率谱在线检测砂轮磨损装置简介
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作者 卞竟元 《磨床技术》 1992年第3期22-24,共3页
关键词 激光功率谱 在线检测 砂轮磨损装置
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激光功率谱检测砂轮磨损的若干技术问题 被引量:2
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作者 杨勇生 王珉 《航空精密制造技术》 1997年第1期39-42,共4页
激光功率谱借助电子计算机能时高速砂轮的磨损进行在城非接触式检测.概要介绍了激光功率话检测原理,检测装置,较详细叙述了激光功率谱对砂轮磨损的在线监测的可行性和监测试验,并指出本检测装置能实现全自动检测,10s内完成10240个... 激光功率谱借助电子计算机能时高速砂轮的磨损进行在城非接触式检测.概要介绍了激光功率话检测原理,检测装置,较详细叙述了激光功率谱对砂轮磨损的在线监测的可行性和监测试验,并指出本检测装置能实现全自动检测,10s内完成10240个数据的采集处理及打印,借助砂轮摩耗磨粒切刃的分布图形能直观评判整个砂轮的磨损状态. 展开更多
关键词 激光功率谱 砂轮 摩粒磨损
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激光双谱线功率的不一致性与拍波干涉仪对准精度的关系
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作者 邓罗根 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1998年第1期105-109,共5页
双谱线功率一致性是拍波干涉测长方案对激光光源提出的特殊要求。本文从拍波干涉仪对准方法的实际出发,在分析双谱线拍波干涉仪输出信号的基础上,研究了双谱线功率不一致与拍波干涉仪对准精度的关系,提出了基本对准盲区和盲区扩大量... 双谱线功率一致性是拍波干涉测长方案对激光光源提出的特殊要求。本文从拍波干涉仪对准方法的实际出发,在分析双谱线拍波干涉仪输出信号的基础上,研究了双谱线功率不一致与拍波干涉仪对准精度的关系,提出了基本对准盲区和盲区扩大量的新概念,建立了描述盲区扩大量与双谱线相对功率差之间关系的解析表达式。为设计拍波干涉仪的激光稳定环路和提高拍波干涉仪的对准精度提供了理论分析工具。 展开更多
关键词 拍波 干涉仪 双波长干涉计量 激光线功率
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砂轮磨损的模糊评判
5
作者 杨勇生 王珉 《航空工艺技术》 1997年第3期11-12,共2页
用激光功率谱检测出砂轮一圈256个等分点的磨耗磨粒切刃的分布,采用模糊数学的原理,计算出砂轮磨损的综合模糊评判指标,从而对砂轮磨损进行模糊评判。
关键词 砂轮磨损 模糊评判 激光功率谱 检测原理
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基于人工神经网络和粒子群优化的半导体激光器参数反向设计方法 被引量:15
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作者 冯佩 李俣 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期1-7,共7页
提出一种基于人工神经网络(ANN)和粒子群优化(PSO)的半导体激光器参数反向设计方法。利用由传统数值仿真方法计算出的激光器功率样本数据来训练ANN,并用此网络预测激光器任意一组参数对应的功率谱,均方差可低至0.5 mW,用时仅0.07 s,计... 提出一种基于人工神经网络(ANN)和粒子群优化(PSO)的半导体激光器参数反向设计方法。利用由传统数值仿真方法计算出的激光器功率样本数据来训练ANN,并用此网络预测激光器任意一组参数对应的功率谱,均方差可低至0.5 mW,用时仅0.07 s,计算速度提高了约1800倍(与相同环境下传统数值算法耗时125.57 s相比)。将此网络与PSO算法结合,可获得目标功率谱的对应参数,即实现反向设计。经计算获得的反向设计方案不唯一,从而进一步验证了半导体激光器非线性多参数的特点。相同环境下ANN结合PSO的反向算法(均方差低于0.04 mW,用时39.45 s)与传统数值反向方法(均方差为0.89 mW,用时192 h)相比,精度提高了22.25倍,速度提高了约17500倍,说明了该方法的有效性。 展开更多
关键词 激光 人工神经网络 粒子群优化算法 激光器输出功率 反向设计
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Kinetics of defect formation in chemically vapor deposited (CVD) graphene during laser irradiation: The case of Raman investigation
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作者 Giampiero Amato Gianluca Milano +1 位作者 Umberto Vignolo Ettore Vittone 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第12期3972-3981,共10页
The effect of laser irradiation on chemically vapor deposited (CVD) graphene was studied by analyzing the temporal evolution of Raman spectra acquired under various illumination conditions. The spectra showed that t... The effect of laser irradiation on chemically vapor deposited (CVD) graphene was studied by analyzing the temporal evolution of Raman spectra acquired under various illumination conditions. The spectra showed that the normalized intensity of the defect-related peak increases with the square root of the exposure time and varies almost linearly with the laser power density. Furthermore, the hardness of graphene to radiation damage depends on its intrinsic structural quality. The results suggest that, contrary to the common belief, micro-Raman spectroscopy cannot be considered a noninvasive tool for the characterization of graphene. The experimental observations are compatible with a model that we derived from the interpretative approach of the Staebler-Wronski effect in hydrogenated amorphous silicon; this approach assumes that the recombination of photoexcited carriers induces the breaking of weak C-C bonds. 展开更多
关键词 chemically vapor deposited (CVD) graphene Raman spectroscopy defect kinetics laser irradiation
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