266nm纳秒固体激光在CH薄膜上打孔的工艺实验研究

为了研究266nm纳秒固体激光在CH膜上打孔的工艺规律和材料去除机理,采用单因素控制变量的方法,进行了单脉冲和多脉冲打孔的实验研究,分析了266nm纳秒固体激光对CH膜材料的去除机理;取得了激光脉冲能量、脉冲数量对孔径和孔深影响规律的数据。结果表明,单脉冲打孔条件下,当激光脉冲能量为0.014mJ时,微孔直径和深度最小,当激光脉冲能量为0.326mJ时,微孔直径和深度最大,孔径和孔深随着激光脉冲能量的增大而增大;多脉冲打孔条件下,当激光脉冲能量较低时,激光对CH膜的单脉冲烧蚀率约为0.56μm/pulse,当激光脉冲能量较高时,激光对CH膜的单脉冲烧蚀率约为1μm/pulse,孔径和孔深随着激光脉冲数量的增加而增大;266nm纳秒固体激光在CH膜上打孔时的微孔形状规则,大小均匀,微孔周围无残渣、碎屑等抛出物,边缘无热影响区,可推断其材料去除机理主要为“光化学蚀除”。该研究对266nm纳秒固体激光加工CH膜的应用具有一定的参考意义。