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钨在硅和氮化钛上的激光化学汽相沉积实验研究
被引量:
1
1
作者
周一敏
孙迭篪
+2 位作者
李富铭
杜元成
王海
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第11期881-885,共5页
本文介绍了用激光化学汽相沉积的方法在Si和TiN基板上沉积钨的实验研究。沉积过程由反射率探测法实时监测,实验结果表明:钨的沉积速率依赖于WF_6和H_2的比例、压力、激光功率和基板的物理性质。实验得到了3μm宽的钨膜。
关键词
激光化学汽相沉积
钨
硅
氮化钛
下载PDF
职称材料
题名
钨在硅和氮化钛上的激光化学汽相沉积实验研究
被引量:
1
1
作者
周一敏
孙迭篪
李富铭
杜元成
王海
机构
复旦大学物理系
复旦大学电子工程系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第11期881-885,共5页
文摘
本文介绍了用激光化学汽相沉积的方法在Si和TiN基板上沉积钨的实验研究。沉积过程由反射率探测法实时监测,实验结果表明:钨的沉积速率依赖于WF_6和H_2的比例、压力、激光功率和基板的物理性质。实验得到了3μm宽的钨膜。
关键词
激光化学汽相沉积
钨
硅
氮化钛
Keywords
Laser chemical vapor deposition
Tungsten
Silicon
Titanium nitride
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
钨在硅和氮化钛上的激光化学汽相沉积实验研究
周一敏
孙迭篪
李富铭
杜元成
王海
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
1
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