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钨在硅和氮化钛上的激光化学汽相沉积实验研究 被引量:1
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作者 周一敏 孙迭篪 +2 位作者 李富铭 杜元成 王海 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第11期881-885,共5页
本文介绍了用激光化学汽相沉积的方法在Si和TiN基板上沉积钨的实验研究。沉积过程由反射率探测法实时监测,实验结果表明:钨的沉积速率依赖于WF_6和H_2的比例、压力、激光功率和基板的物理性质。实验得到了3μm宽的钨膜。
关键词 激光化学汽相沉积 氮化钛
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