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激光印痕研究中的硅平面薄膜和刻蚀膜
被引量:
1
1
作者
周斌
王珏
+7 位作者
韩明
徐平
沈军
邓忠生
吴广明
张勤远
陈玲燕
王跃林
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2001年第4期300-304,共5页
研制了用于激光印痕研究的Si平面薄膜和刻蚀膜。膜制备的主要工艺采用氧化、扩散、光刻等现代半导体技术 ,并结合自截止腐蚀技术。Si平面膜厚度为 3~ 4 μm ,表面粗糙度为几十nm。采用离子束刻蚀工艺 ,在Si膜表面引入 2 5μm× 2 5...
研制了用于激光印痕研究的Si平面薄膜和刻蚀膜。膜制备的主要工艺采用氧化、扩散、光刻等现代半导体技术 ,并结合自截止腐蚀技术。Si平面膜厚度为 3~ 4 μm ,表面粗糙度为几十nm。采用离子束刻蚀工艺 ,在Si膜表面引入 2 5μm× 2 5μm的网格图形或线宽为 5μm的条状图形 ,获得了相应图形的Si刻蚀膜。探讨了扩散、氧化、腐蚀工艺对自支撑Si平面薄膜的表面粗糙度的影响 。
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关键词
激光印痕靶
自截止腐蚀
离子束刻蚀
硅平面薄膜
刻蚀膜
惯性约束聚变
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职称材料
题名
激光印痕研究中的硅平面薄膜和刻蚀膜
被引量:
1
1
作者
周斌
王珏
韩明
徐平
沈军
邓忠生
吴广明
张勤远
陈玲燕
王跃林
机构
同济大学波耳固体物理研究所
上海冶金研究所传感器国家重点联合实验室
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2001年第4期300-304,共5页
基金
国家"8 6 3"惯性约束聚变领域资助课题 (86 3 416 3 6 6 )
文摘
研制了用于激光印痕研究的Si平面薄膜和刻蚀膜。膜制备的主要工艺采用氧化、扩散、光刻等现代半导体技术 ,并结合自截止腐蚀技术。Si平面膜厚度为 3~ 4 μm ,表面粗糙度为几十nm。采用离子束刻蚀工艺 ,在Si膜表面引入 2 5μm× 2 5μm的网格图形或线宽为 5μm的条状图形 ,获得了相应图形的Si刻蚀膜。探讨了扩散、氧化、腐蚀工艺对自支撑Si平面薄膜的表面粗糙度的影响 。
关键词
激光印痕靶
自截止腐蚀
离子束刻蚀
硅平面薄膜
刻蚀膜
惯性约束聚变
Keywords
laser imprint
self-stop etching process
ion beam etching
分类号
TL632.1 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
激光印痕研究中的硅平面薄膜和刻蚀膜
周斌
王珏
韩明
徐平
沈军
邓忠生
吴广明
张勤远
陈玲燕
王跃林
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2001
1
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