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GaInP/AlGaInP脊形波导激光器器件结构的优化研究
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作者 高峰 章燕申 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期90-92,共3页
通过优化脊形波导的结构参数可以降低脊形波导激光器的阈值电流 ,提出了实现亚微米脊宽 ,从而降低阈值电流的方法。针对脊形波导制作过程中蚀刻深度不易控制的问题 。
关键词 GAINP/ALGAINP 脊形波导 优化 激光器器件 结构
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新型垂直腔面发射半导体激光器阵列 被引量:4
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作者 刘文莉 钟景昌 晏长岭 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期519-525,共7页
设计出四次质子注入工艺制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列的方法,实现了对阵列中单元器件间的隔离以及对单元器件注入电流限制的分别作用。一方面通过对VCSEL外延片上分布布拉格反射镜(DBR)两次较浅的质子注入形成高电阻区域实现对阵... 设计出四次质子注入工艺制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列的方法,实现了对阵列中单元器件间的隔离以及对单元器件注入电流限制的分别作用。一方面通过对VCSEL外延片上分布布拉格反射镜(DBR)两次较浅的质子注入形成高电阻区域实现对阵列中单元器件间的隔离,另一方面通过再次的两次较深度的可以达到有源区上表面的质子注入形成高电阻区域实现对单元器件注入电流的限制。由瞬态热传导方程对阵列中单元器件间的热相互作用进行了理论分析。采用四次质子注入工艺实现了2×2、3×3简单的二维GaAs/A lGaAs量子阱VCSEL阵列,并对器件的激射近场、光谱特性及功率等进行了测量。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 激光器阵列器件 质子注入
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1.5μm Self-Aligned Spotsize Converter Integrated DFB Fabricated by Selective Area Grown MOVPE
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作者 邱伟彬 董杰 +1 位作者 王圩 周帆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期681-684,共4页
High performance 1 57μm spotsize converter monolithically integrated DFB is fabricated by the technique of self aligned selective area growth.The upper optical confinement layer and the butt coupled tapered thickn... High performance 1 57μm spotsize converter monolithically integrated DFB is fabricated by the technique of self aligned selective area growth.The upper optical confinement layer and the butt coupled tapered thickness waveguide are regrown simultaneously,which not only offeres the separated optimization of the active region and the integrated spotsize converter,but also reduces the difficulty of the butt joint selective regrowth.The threshold current is as low as 4 4mA.The output power at 49mA is 10 1mW.The side mode suppression ratio (SMSR) is 33 2dB.The vertical and horizontal far field divergence angles are as small as 9° and 15° respectively,the 1dB misalignment tolerance are 3 6μm and 3 4μm. 展开更多
关键词 spotsize converter self aligned butt joint selective area growth
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