脉冲激光诱发SRAM单粒子翻转的故障模型分析

针对密码芯片开展故障攻击的关键在于针对存储资源故障模型的精准注入.利用高精度脉冲激光单粒子效应扫描测绘装置,对两款不同工艺尺寸的SRAM器件开展单粒子翻转故障模型试验研究,分析激光能量和存储数据类型对SRAM器件故障触发概率和故障模型分布概率的影响.试验结果表明,在3倍激光能量阈值下,可实现近90%的高故障触发概率,故障类型以多比特翻转为主;在激光能量阈值下,可实现近10%-30%的低故障触发概率,故障类型包含1-bit和2-bit翻转,且1-bit翻转类型所占比例高达80%;在覆盖多个存储单元的的局部区域,存储数据类型对诱发SRAM器件故障模型分布概率的影响较小.