激光束感应电流法研究HgCdTe电活性缺陷和焦平面器件的光电特性

用高分辨率的、非破坏的光学表征技术的激光束感应电流研究碲镉汞 (MCT)晶片中电活性缺陷和光伏型红外碲镉汞焦平面器件及光伏型硅光电器件 P- N结光电特性 ,实验表明在 MCT晶片中探测到激光束感应电流 ,在光伏型 P- N结构的器件中 ,观察到周期结构的激光束感应电流分布 .定性地观察激光束感应电流图谱以及定量地分析单个 P-

红外技术与器件

TN213 2002042951用椭圆偏振测量法分析碲镉汞的组分及其均匀性=Analysis on composition and unifortuity ofHgCdTe by ellipsometry[刊,中]/黄住华,钱晓凡,陈永安(昆明理工大学理学院.云南,昆明(650051))。