红外发光显微镜及其在集成电路失效分析中的应用

随着超大规模集成电路的发展,半导体芯片中元器件的特征尺寸越来越小,已经进入了深亚微米时代。近几年新发展起来的红外发光显微镜技术,能利用集成电路(IC)器件中大多数缺陷都呈现微弱红外发光的现象,迅速准确地定位失效点,成为对IC进行失效缺陷定位的有力工具。本文介绍了半导体的发光机理,红外发光显微镜的基本结构、主要部件及技术特点。通过对两个IC失效样品的分析实例,介绍红外发光显微镜及其补充技术——激光束诱导电阻率变化测试技术在IC失效分析中的具体应用。