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金硅面垒探测器中超薄氧化膜的研究
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作者 蒋锦江 严美琼 +1 位作者 申勇 林理彬 《核电子学与探测技术》 CAS 1987年第2期65-68,共4页
采用激光椭圆偏振仪、俄歇电子能谱仪和电学方法等手段对面垒探测器中的Au-Si界面进行了研究。实验结果表明,在Au-Si之间存在一层数纳米厚的薄氧化层,它的成分和结构与制作工艺有关,通常是不完全氧化膜,它的存在对探测器性能有重大作用。
关键词 面垒探测器 超薄氧化层 激光椭圆偏振仪 俄歇电子能谱
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