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金硅面垒探测器中超薄氧化膜的研究
1
作者
蒋锦江
严美琼
+1 位作者
申勇
林理彬
《核电子学与探测技术》
CAS
1987年第2期65-68,共4页
采用激光椭圆偏振仪、俄歇电子能谱仪和电学方法等手段对面垒探测器中的Au-Si界面进行了研究。实验结果表明,在Au-Si之间存在一层数纳米厚的薄氧化层,它的成分和结构与制作工艺有关,通常是不完全氧化膜,它的存在对探测器性能有重大作用。
关键词
面垒探测器
超薄氧化层
激光椭圆偏振仪
俄歇电子能谱
下载PDF
职称材料
题名
金硅面垒探测器中超薄氧化膜的研究
1
作者
蒋锦江
严美琼
申勇
林理彬
机构
四川大学
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
1987年第2期65-68,共4页
文摘
采用激光椭圆偏振仪、俄歇电子能谱仪和电学方法等手段对面垒探测器中的Au-Si界面进行了研究。实验结果表明,在Au-Si之间存在一层数纳米厚的薄氧化层,它的成分和结构与制作工艺有关,通常是不完全氧化膜,它的存在对探测器性能有重大作用。
关键词
面垒探测器
超薄氧化层
激光椭圆偏振仪
俄歇电子能谱
Keywords
Surface barrier detector
Thin oxidized layer
Ellipmetry
AES
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金硅面垒探测器中超薄氧化膜的研究
蒋锦江
严美琼
申勇
林理彬
《核电子学与探测技术》
CAS
1987
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