激光脉冲能量对激光烧蚀保护气体电离的影响

用Ar气作保护气体 ,气压保持在一个标准大气压 ,用Nd :YAG脉冲激光烧蚀Al靶获得等离子体。利用时空分辨技术 ,采集了激光脉冲能量在 5 2 ,92 ,115和 14 5mJ情况下等离子体辐射的时空分辨谱。详细描述了 115mJ时等离子体的辐射特征 ,简要分析了其他脉冲能量下Ar的特征辐射规律。根据这些脉冲能量下Ar+ 特征谱线的分布规律 ,简要论述了Ar气体电离与激光脉冲能量的关系。讨论了环境气体电离机制 ,并对结果进行了简单解释。结果发现 ,在本实验采用的能量范围内 ,较高的脉冲能量更容易使环境气体电离 ,产生较强的Ar+ 离子辐射 ,且Ar+ 辐射持续时间较长。

激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸均匀性与靶衬间距的关系

为了对纳米Si薄膜中晶粒尺寸的分布进行定量研究,首次提出“晶粒尺寸均匀度”的概念,并对Lowndes等人采用脉冲激光烧蚀方法制备纳米Si薄膜的实验结果进行了定量分析。结果表明,随着靶衬间距的增大,晶粒尺寸均匀度先减小后增大,也就是说,存在靶衬间距的最佳值,使所制备的纳米Si晶粒的尺寸均匀性最好。MonteCarlo模拟结果对这一结论进行了解释。

激光能量对掺铒纳米Si晶薄膜形貌的影响

采用XeCl脉冲准分子激光器,保持激光脉冲比为1:2,分时烧蚀Er靶和高阻抗单晶Si靶。改变激光能量,在真空中沉积了掺Er非晶Si薄膜。在氮气保护下,分别在950℃,1010℃和1100℃温度下进行30min热退火处理,得到掺Er纳米晶Si薄膜。扫描电子显微镜的结果表明,高的退火温度或高的激光能量均会导致迷津结构的形成。

激光光谱技术

O433.54 97052902谱线飞行时间加宽的理论模型与结果分析=Theoreticalmodel and result analysis on spectralline time of flight broadening[刊,中]/陈书潮（厦门大学物理系.福建,厦门（361005））//福光技术.—1996,（22）.—11在激光光谱学中,粒子横越激光束的时间T很短,特别是在准分子束和超声粒子束,横向快速离子束等亚多普勒光谱测量中,必须考虑谱线飞行加宽。提出了飞行时间加宽的阻尼振子模型。（赵桂云）O433.54 97052903激光诱导Y1Ba2Cu3Ox超导靶等离子体发射光谱的研究=Laser—induced plasma spectroscopy of Y—Ba—Cu—O target[刊。

Al等离子体特征辐射时间分辨谱线线形分析

用Nd :YAG脉冲激光烧蚀Al靶获得Al等离子体 ,利用时 空分辨技术采集Al等离子体的辐射信息 ,记录了 10～ 10 0 0 0ns延迟范围内Al等离子体辐射的时间分辨谱 ,通过分析 ,获得了Al等离子体特征谱线AlⅠ 396 15和AlⅠ 394 4 0nm的时间分辨谱。分析了 80 0～ 10 0 0 0ns延迟范围内的谱线线形 ,并分别对两条特征谱线进行了Lorentz函数和Gauss函数拟合。结果发现 ,10 0 0ns延迟以后的谱线是非常规则的Lorentz线形 ;而 10 0 0ns以前的也是Lorentz线形 ,但不十分规则 ;在该延迟范围内 ,所有时间分辨特征谱线与Gauss拟合曲线相差很大 ,说明谱线不是Gauss线形的。参照Lorentz函数拟合结果 ,测量了这两条谱线的半高全宽 ,并与谱线的自然线宽理论值比较。结果发现 。

掺杂BaTiO3/SrTiO3多层膜与太赫兹波相互作用

掺杂半导体中的载流子吸收在THz波段非常明显,其相互作用研究是研制THz通信中的关键器件之一的基础。采用氟化氪(KrF)脉冲准分子激光烧蚀沉积(PLD)技术,制备了Ni掺杂BaTiO3/SrTiO3多层膜。基于辐射频率为3.09THz、脉冲功率为10mW量级的THz量子级联激光器(QCL)光源研究了太赫兹波在Ni掺杂BaTiO3/SrTiO3多层膜中的传输,发现损耗主要是Ni颗粒的非共振吸收导致。

尺寸分布优化的硅基纳米材料的制备及其光致发光特性研究

纳米材料尺度的均匀性分布是保证纳米硅材料高效发光的基本要求,而纳米材料尺度分布的不均匀性却是纳米硅材料制备过程中的常见问题。在激光烧蚀沉积纳米硅材料中采用挡板技术和背散射技术提高了材料的尺度分布的均匀性,减少了材料表面的大颗粒,有效改善了材料的发光特性,使材料的发光强度提高,且发光峰的半峰宽变窄。