脉冲激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的数值计算

脉冲激光诱导InP的Zn掺杂过程中,金属-半导体分界面附近的温度是影响掺杂浓度和掺杂深度的一个重要因素.确定材料的温度分布有利于合理选择激光功率、辐照时间等工艺参数使表面或界面达到预期的温度.本文分析了脉冲激光诱导InP掺杂Zn的过程,利用数值计算的方法,计算了在简化一维模型下激光辐照过程中材料的温度场分布,得到了材料表面温度、金属-半导体分界面温度与激光脉冲宽度的关系,两者都近似呈线性关系,表面温度和分界面温度相差不大,这与解析方法得到的结果基本相同.研究表明,通过数值方法给出材料中温度场分布情况,可以直接在普通的PC机上计算任意给定时刻材料表面温度和金属-半导体分界面的温度.

激光诱导p-GaN掺杂对发光二极管性能改善的分析

采用激光诱导掺锌的方法提高了常规GaN基外延片p-GaN层的空穴浓度,并将它制备成小功率白光发光二极管(LED).对其光电性能做了详细的测量并进行了加速老化实验和分析.结果表明,与常规LED相比,经过激光诱导p-GaN层掺锌LED的光电性能获得了明显改善:正向工作电压VF从3.33V降到3.13V,串联电阻从30.27Ω降到20.27Ω,室温下衰退系数从1.68×10-4降到1.34×10-4,老化1600h后的反向漏电流从超过0.2μA降为不超过0.025μA,器件的预测寿命延长了41%.器件光电性能改善的主要原因是激光诱导掺锌使LED的p-型欧姆接触改善和热阻降低所致.